Abstract
Cross sections, concentrations, and depths of various electron and hole traps in AgBr are described. Effects of the traps on measurements of electron and hole lifetimes and mobilities are noted. Microcrystals have electronic behaviour that is very different from that of bulk material owing to the dominant effects of surface traps. Some differences are noted in trapping characteristics at centres of reduction sensitization and of latent image formation.
Résumé
Les sections efficaces, les concentrations et les profondeurs des différents pièges à trous et à électrons dans le bromure d'argent sont envisagés. Les effets des pièges sur les mesures de la durée de vie et de la mobilité des trous et des électrons sont signalés. Les microcristaux ont un comportement électronique très différent de celui des gros cristaux en raison des effets prépondérants des pièges superficiels. Les caractéristiques de piégeage different quelque peu selon qu’il s´agit de centres de sensibilité obtenus par réduction ou de centres de formation de l'image latente.
Zusammenfassung
För verschiedene Elektronen- und Defektelektronenfallen in AgBr werden Einfangquerschnitte, Konzentrationen und Fallentiefen mitgeteilt. Der Einfluß der Fallen auf die Messungen von Lebensdauer und Beweglichkeit von Elektronen und Defektelektronen wird diskutiert. Infolge des öberwiegenden Einflusses der Oberflächenfallen zeigen Mikrokristalle ein elektronisches Verhalten, das sich von dem des kompakten Materials wesentlich unterscheidet. Zwischen Reduktionsreifkeimen und Latentbildkeimen werden Unterschiede im Einfangverhalten festgestellt.
Riassunto
Vengono descritte sezioni trasversali, concentrazioni e profondità di vari elettroni e trappole in cristalli di AgBr. Sono stati notati effetti delle trappole sulla misura della vita media di elettroni e di buche e loro mobilità.
I microcristalli hanno un comportamento elettronico assai diverso da quello del cristallo in sè, dovuto agli effetti dominanti delle trappole superficiali.
Alcune differenze sono state notate nelle caratteristiche di intrappolamento ai centri di sensibilizzazione riducente e di formazione di immagine latente.