Conventional and Self-Developing Photothermoplastic Devices: Sensitivity and Rapid Development

Paper presented at a symposium on “Unconventional Photographic Systems”, organized by the Science Committee of The Royal Photographic Society on 12-16 September 1977 in Oxford.

Abstract

A relationship between the diffraction efficiency of a photothermoplastic device and the electrophotographic sensitivity of the photoconductor therein has been derived.

Heat development times down to 6.5 (as have been observed with conventional photothermoplastic devices. However, development times of 100 iMS are recommended for prolonged cycling, since shorter development times are associated with deterioration of the thermoplastic owing to the high development temperatures required.

A new photothermoplastic device has been developed in which the illumination and development steps have been combined by using the heating effect resulting from the illumination of a low resistance CdS layer. Development times of 75 JJ.S and photosensitivities of 150 fxJ cm-2 have been observed with such devices.

Résumé

On a dérivé une relation entre l’efficacité de diffraction d’une composante photothermoplastique et la sensibilité électro-photographique du photoconducteur utilisé dans ce système. Quant à la vitesse du dévelopment à la chaleur on a obtenu des temps de dévelopment de seulement 6.5 fis. Pour une opération à plusieurs cycles des temps de dévelopment de 100 iAS sont recommandés, parce qu’on n’atteind que des temps plus courts avec des températures plus hautes, qui mènent à une détérioration des thermoplastiques. Récemment on a developpé une nouvelle composante photothermoplastique, qui combine les pas d’illumination et de dévelopment en utilisant la production de chaleur dans une couche de CdS représentant un photoconducteur, à basse résistance. Pour ce système on a obtenu des temps de dévelopment de 75 iAS et une sensibilité de 150 iAj/cm2.

Zusammenfassung

Es wird eine Beziehung zwischen dem Beugungswirkungsgrad eines Photothermoplasten und der elektro- photographischen Empfindlichkeit des darin verwendeten Photoleiters abgeleitet. Bei der Untersuchung der Geschwindigkeit des Entwicklungsschrittes wurden Zeiten bis herab zu 6.5 |AS beobachtet. Allerdings sind für Experimente mit grossen Zykluszahlen Entwicklungszeiten von 100 [as besser geignet: kürzere Zeiten werden nämlich nur bei relativ hohen Temperaturen erreicht, die zu bleibenden Schäden im thermoplastischen Material führen. Es wird eine neuartige photothermoplastische Komponente vorgestellt, bei der der Entwicklungsschritt mit der Belichtung kombiniert ist, indem man die Wärmeentwicklung in einer niederohmigen CdS-Photo- leiterschicht ausnutzt. Mit dieser Komponente konnten Entwicklungszeiten von 75 iJLS bei einer Empfindlichkeit von 150 iJ/cm2 erzielt werden.

Riassunto

E stata ricavata la relazione fra l’efficienza di diffrazione di un dispositivo fototermoplastico e la sensibilità elettrofotografica del relativo fotoconduttore. Sono stati osservati, con sistemi fototermoplastici convenzionali, tempi di trattamento termico fino a 6,5 (as. Tuttavia, per cicli prolungati, sono preferibili tempi di trattamento di 100 ias perchè tempi di trattamento più brevi comportano, a causa delle alte temperature richieste, un deterioramento del termoplastico. E stato sviluppato un nuovo sistema termoplastico in cui le fasi di esposizione e trattamento vengono combinate utilizzando l’effetto di riscaldamento che si crea durante l’esposizione di uno strato di bassa resistenza al CdS. Con tali sistemi si sono avute fotosensibilità di 150 |AJ enr2 e tempi di trattamento di 75 [as.

Notes

Paper presented at a symposium on “Unconventional Photographic Systems”, organized by the Science Committee of The Royal Photographic Society on 12-16 September 1977 in Oxford.