Mise en évidence d'une limite de solubilité d'hydrogène implanté à basse température dans l'argent

Abstract

Résumé

Le système Ag-H a été préparé à 15 K par implantation d'ions hydrogène de 15 keV dans un film mince d'argent jusqu'à une fluence de 1,1 × 10¹⁸ H cm⁻². On a mesuré in situ le changement du paramètre de maille de la matrice Δa/a par microscopie électronique en transmission. Après une augmentation linéaire, Δa/a atteint 1,5% et sature à une dose de 7 × 10¹⁷ H cm⁻², i.e. H/Ag ∼ 0,6. Cette saturation s'interprète par une limite de solubilité de H dans Ag. Ce résultat est en bon accord avec les expériences de résistivité antérieures. Ainsi, la concentration de H que l'on peut obtenir par implantation ne peut pas simplement ětre détermineé par le nombre desites interstitiels libres du réseau de la matrice. Des expériences sur le film mince d'argent implanté avec des ions d'hélium sont également présentées.