Couche épitaxique mince sur un substrat semi-infini: Role du désaccord paramétrique et de l'épaisseur sur les distortions élastiques

Abstract

Le champ des déformations élastiques associé à un cristal mince en épitaxie sur un cristal de nature différente, monocristallin et semi-infini, est déterminé en utilisant une méthode antérieurement proposée par l'un des auteurs dans le cas de deux milieux semi-infinis à élasticité isotrope. Deux hypothèses de calcul sont envisagées dans le cadre de la déformation plane, le champ des contraintes étant dans les deux cas périodique dans une direction parallèle à l'interface. L'une admet la présence de dislocations de désaccord paramétrique (ou dislocations intrinsèques) régulièrement réparties; l'autre suppose la présence de dislocations de translation (ou dislocations extrinsèques) introduites par déformation plastique. Les champs des déplacements de ces deux types de dislocations, exprimés dans un repère Cartésien lié à l'interface, ne diffèrent que d'une fonction linéaire des coordonnées. Leurs expressions sont rendues explicites en inversant analytiquement un système de neuf équations linéaires complexes à neuf inconnues. Les expressions détaillées des contraintes et dilatations volumiques sont présentées.