Dopage de films de C₆₀ par implantation ionique (doping of C₆₀ films after ion implantation)

Abstract

Resumé

Avec des films de C₆₀, l'implantation d'ions chimiquement inertes (argon) ne produit des effets de conduction notables (σ >10⁻⁴ ω⁻¹cm⁻¹) liés à une dégradation, que lorsque l'échantillon est porté à haute température (560 K) durant l'irradiation; l'implantation d'argon à température ambiante ne dégénère pas le matériau (σ < 10⁻⁴ω⁻¹cm⁻¹), qui apparaǐt cependant dopé (σ ≈ 1 ω⁻¹cm⁻¹) à la suite de l'implantation à température ambiante d'ions chimiquement actifs; pour une fluence de l'ordre de 10¹⁵ ions cm⁻², le pouvoir thermoélectrique apparaǐt négatif avec les ions potassium et phosphore, alors qu'il est positif avec les ions brome et bore.

With C₆₀ films, ion implantation of inert ions (argon) gives rise to conduction processes (σ > 10⁻⁴ω⁻¹cm⁻¹) related to degradation only in the case where implantation is performed at a high temperature (T=560 K); no sample degeneracy (σ > 10⁻⁴ω⁻¹cm⁻¹) appears after argon implantation at room temperature, but doping effects (σ ≈ 1ω⁻¹cm⁻¹) are obtained after implantation at room temerature with chemically active ions; with a fluence of the order of 10¹⁵ ions cm⁻², the thermoelectric power then appears negative with potassium or phosphorus ions, and positive with bromine or boron ions.