Abstract
Die zerstörungsfreie Kohlenstoffbestimmung in Halbleitersilizium durch Deuteronenbestrahlung am Zyklotron nach der Reaktion 12C(d, n)13N stellt unter Beachtung der möglichen Fehlerquellen, die einen erhöhten C-Gehalt vortäuschen können, wie SiC-Inhomogenitäten, Schleifmittelreste, implantierten Kohlenstoff aus dem Beschleunigervakuum, eine zuverlässige und zur Qualitätskontrolle geeignete Methode dar. Die Nachiweisgrenze liegt bei 0,07 ppm.