De la magnétorésistance à la structure de bande du polyparaphénylène dopé par implantation ionique

Résumé

Dans le cas de films de polyparaphénylène implantés avec des ions césium de 30keV et pour différentes fluences D (10¹⁵ ions cm⁻² < D < 5 × 10¹⁶ ions cm⁻²), nous avons justifié le signe de la magnétoresistance (et aussi du pouvoir thermoélectrique) à partir de la forme que nous avons établie pour la fonction densité d'états relative à des niveaux d'énergie caractéristiques du dopage ou spécifiques aux endommagements. Par ailleurs, le signe positif de la magnétorésistance a été attribué à un effet d'interaction Coulombienne alors que la composante de la magnétorésistance négative doit correspondre aux états fortement localisés pour lesquels le champ magnétique limite l'effet des interférences quantiques.