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Miscellany

Displacement threshold energies in binary compounds: Amorphous metallic alloy Fe75B25, low dimensional conductors TaS2 and TaS3, homogeneous intermediate valence compound SmS

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Pages 125-144 | Received 30 Nov 1982, Published online: 19 Aug 2006
 

Abstract

Nous présentons une méthode géeanérate pour révaluation des sections efficaces de déplacements dans des composés binaires sous irradiation aux électrons, en supposant un modéle de déplacement à une seule marche pour les deux espèaces. Nous exploitons les tableaux d'Oen et un calcul réeacent sur les cascades de déplacement dans cibles polyatomiques pour obtenir la section efficace de déplacement pour chaque espéce d'atomes. Nous utilisons cette méthode pour analyser des résultats expérimentaux concernant Fe7sB25, TaS2, TaS3 et SmS, et déterminer les énergies de seuil de déplacement de Fe, Ta et Sm dans ces composés.

We present a general method to evaluate the displacement cross-sections in binary compounds irradiated with electrons, supposing a single-step displacement model for each atom species. With the help of Oen's tables and of a recent calculation on displacement cascades in polyatomic solids, the total displacement cross-section for each kind of atoms is obtained. We use this method to analyze experimental results on Fe75B25, TaS2, TaS3 and SmS, and to determine the displacement threshold energies of Fe, Ta and Sm in these compounds.

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