References
- Sai-Halasz , G. A. , Wordeman , M. R. , Kern , D. P. , Ganin , E. , Rishton , S. , Zicherman , D. S. , Schmid , H. , Polcari , M. R. , Ng , H. Y. , Restle , P. J. , Chang , T. H. P. and Dennard , R. H. 1987 . IEEE Electron. Device Lett. , 8 : 463
- Sasaki Momose , H. , Ono , M. , Yoshitomi , T. , Ohguro , T. , Nakamura , S. , Saito , M. and Iwai , H. 1994 . IEDM 94-593
- Horiguchi , M. , Sakata , T. , Sekiguchi , T. , Ueda , S. , Tanaka , H. , Yamasaki , E. , Nakagome , Y. , Aoki , M. , Kaga , T. , Ohkura , M. , Nagai , R. , Murai , F. , Tanaka , T. , Iijima , S. , Yokoyama , N. , Gotoh , Y. , Shoji , K. , Kisu , T. , Yamashita , H. , Nishida , T. and Takeda , E. Conf. Int. Solid-state Circuits . pp. 252 Digest of Technical Papers
- Sugibayashi , T. , Naritake , I. , Utsugi , S. , Shibahara , K. , Oikawa , R. , Mori , H. , Iwao , S. , Murotani , T. , Koyama , K. , Fukazawa , S. , Itani , T. , Kasama , K. , Okuda , T. , Ohya , S. and Ogawa , M. Conf. Int. Solid-state Circuits . pp. 254 Digest of Technical Papers
- Seidel , T. E. 1994 Int. Symp. Semiconductor Manufacturing . Tokyo. pp. 14
- Fischetti , M. V. , Di Maria , D. J. , Dori , L. , Batey , J. , Tierney , E. and Stasiak , J. 1987 . Phys. Rev. , B35 : 4404
- Higashi , G. S. , Becker , R. S. , Chabal , Y. and Becker , A. J. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 58 : 1656
- Pantelides , S. T. , ed. 1978 . The Physics of SiO2 and Its Interfaces , New York : Pergamon .
- Lucovsky , G. , Pantelides , S. T. and Galeener , F. L. , eds. 1980 . The Physics of MOS Insulators , New York : Pergamon .
- Roberts , G. G. and Morant , M. J. , eds. 1979 . Insulating Films in Semiconductors , Conference Series Number 50 London : The Institute of Physics .
- Schulz , M. and Pensl , G. , eds. 1981 . Insulating Films in Semiconductors , Berlin : Springer-Verlag .
- Verweij , J. F. and Wolters , D. R. , eds. 1983 . Insulating Films in Semiconductors , Amsterdam : North-Holland .
- Simmone , J. J. and Buxo , J. , eds. 1986 . Insulating Films in Semiconductors , Amsterdam : North-Holland .
- Declerck , G. and de Keersmaecker , R. , eds. 1987 . Insulating Films in Semiconductors, INFOS 87 , Amsterdam : North-Holland .
- Pantelides , S. T. and Lucovsky , G. , eds. 1987 . SiO2 and Its Interfaces , Mat. Res. Soc. Symp. Vol. 105 ,
- Balk , P. , ed. 1988 . The Si-SiO2 System , Materials Science Monographs, Vol. 32 Elsevier .
- Koch , F. and Spitzer , A. , eds. 1989 . Insulating Films in Semiconductors, INFOS 89 , Amsterdam : North-Holland .
- Eccleston , W. and Uren , M. , eds. 1991 . Insulating Films in Semiconductors 1991 , Techno House, Bristol : Adam Hilger .
- Balk , P. and de Nijis , J. J. M. , eds. 1993 . Insulating Films in Semiconductors, INFOS 93 , Amsterdam : Elsevier .
- Nicollian , E. H. and Brews , J. R. 1982 . MOS Physics and Technology , New York : John Wiley & Sons .
- Bauer , R. S. and McGill , T. C. 1985 . VLSI Electronics—Microstructure Science , Edited by: Einspruch , N. G. Vol. 10 , New York : Academic Press .
- Grunthaner , F. J. and Grunthaner , P. J. 1986 . Mater. Sci. Rep. , 1 : 65
- Himpsel , F. J. , Meyerson , B. S. , McFeely , F. R. , Morar , J. F. , Taleb-Ibrahimi , A. and Yarmoff , J. A. 1990 . Proceedings of the Enrico Fermi School on Photoemission and Absorption Spectroscopy of Solids and Interfaces with Synchrotron Radiation , Edited by: Campagna , M. and Rosei , R. 203 Amsterdam : North-Holland .
- Nishi , Y. 1971 . Jpn. J. Appl. Phys. , 10 : 52
- Poindexter , E. H. , Caplan , P. J. , Deal , B. E. and Razouk , R. R. 1981 . J. Appl. Phys. , 52 : 879
- Gerardi , G. J. , Poindexter , E. H. , Caplan , P. J. and Johnson , N. M. 1986 . Appl. Phys. Lett. , 49 : 348
- Chang , S. T. , Wu , J. K. and Lyon , S. A. 1986 . Appl. Phys. Lett. , 48 : 662
- Brower , K. L. 1983 . Appl. Phys. Lerr. , 43 : 1111
- Stesmans , A. and Vanheusden , K. 1991 . Phys. Rev. , B44 : 11353
- Stathis , J. H. and Dori , L. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 58 : 1641
- Haneji , N. , Vishnuvhotla , L. and Ma , T. P. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 59 : 3416
- Krick , J. T. , Lenahan , P. M. and Dunn , G. J. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 59 : 3437
- Johnson , N. M. , Biegelsen , D. K. , Moyer , M. D. , Chang , S. T. , Poindexter , E. H. and Caplan , P. J. 1983 . Appl. Phys. Lett. , 43 : 563
- Vuillaume , D. , Goguenheim , D. and Vincent , G. 1990 . Appl. Phys. Lett. , 57 : 1206
- Feigl , F. J. , Fowler , W. B. and Yip , K. L. 1974 . Solid State Commun. , 14 : 225
- Lenahan , P. M. and Dressendorfer , P. V. 1984 . Appl. Phys. Lett. , 44 : 96
- Lenahan , P. M. and Dresendorfer , P. V. 1984 . J. Appl. Phys. , 55 : 3495
- Warren , W. L. and Lenahan , P. M. 1987 . J. Appl. Phys. , 62 : 4305
- Lai , S. K. 1983 . J. Appl. Phys. , 54 : 2540
- Ohmameuda , T. , Miki , H. , Asada , K. , Sugano , T. and Ohji , Y. 1993 . Jpn. J. Appl. Phys. , 30 : L1993
- Triplett , B. B. , Takahashi , T. and Sugano , T. 1987 . Appl. Phys. Lett. , 50 : 1663
- Takahashi , T. , Triplett , B. B. , Yokogawa , K. and Sugano , T. 1987 . Appl. Phys. Lett. , 51 : 1334
- Saks , N. S. and Brown , D. B. 1989 . IEEE Trans. Nucl. Sci. , 36 : 1848
- Vranch , R. L. , Henderson , B. and Pep per , M. 1988 . Appl. Phys. Lett. , 53 : 1161
- Krick , J. T. , Lenahan , P. M. and Dunn , G. J. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 59 : 3437
- Williams , R. and Goodman , A. M. 1974 . Appl. Phys. Lett. , 25 : 531
- Sigmon , T. W. , Chu , W. K. , Lugujjo , E. and Mayer , J. W. 1974 . Appl. Phys. Lett. , 24 : 105
- Jackman , T. E. , MacDonald , J. R. , Feldman , L. C. , Silverman , P. J. and Stensgard , I. 1980 . Surf. Sci. , 100 : 35
- Haight , R. and Feldman , L. C. 1982 . J. Appl. Phys. , 53 : 4884
- Krivanek , O. L. , Sheng , T. T. and Tsui , D. C. 1978 . Appl. Phys. Lett. , 32 : 437
- Krivanek , O. L. , Tsui , D. C. , Sheng , T. T. and Kamgar , A. 1978 . The Physics of SiO2 and Its Interfaces , Edited by: Pantelides , S. T. 356 New York : Pergamon .
- Sugano , T. , Chen , J. J. and Hamano , T. 1980 . Surf. Sci. , 98 : 154
- Mazur , J. J. and Washburn , J. AIP Conf Proc. No. 122, Proc. Int. Conf on the Physics of VLSI . Edited by: Palo Alto and Knights , J. C. pp. 52 New York : American Institute of Physics .
- Goodnick , S. M. , Ferry , D. K. , Wilmsen , C. W. , Liliental , Z. , Fathy , D. and Krivanek , O. L. 1985 . Phys. Rev. , B32 : 8171
- Ohdomari , I. , Mihara , T. and Kai , K. 1986 . J. Appl. Phys. , 59 : 2798
- Akatsu , H. , Sumi , Y. and Ohdomari , I. 1991 . Phys. Rev. , B44 : 1616
- Agius , B. , Rigo , S. , Rochet , F. , Froment , M. , Maillot , C. , Roulet , H. and Dufor , G. 1984 . Appl. Phys. Lett. , 44 : 48
- Rochet , F. , Rigo , S. , Froment , M. , d'Anterroches , C. , Maillot , C. , Roulet , H. and Dufour , G. 1986 . Adv. Phys. , 35 : 237
- Rochet , F. , Froment , M. , d'Anterroches , C. , Roulet , H. , Dufour , G. and Calsou , R. 1990 . Solid-state Electron., Suppl. , 33 : 135
- Ourmazd , A. , Taylor , D. W. , Rentschler , J. A. and Bevk , J. 1987 . Phys. Rev. Lett. , 59 : 213
- Ourrmazd , A. , Rentschler , J. A. and Bevk , J. 1988 . Appl. Phys. Lett. , 53 : 743
- Renaud , G. , Fuoss , P. H. , Ourmazd , A. , Bevk , J. , Freer , B. S. and Hahn , P. O. 1991 . Appl. Phys. Left. , 58 : 1044
- Gibson , J. M. , Lanzerotti , M. Y. and Elser , V. 1989 . Appl. Phys. Lett. , 55 : 1394
- Ross , F. M. and Gibson , J. M. 1992 . Phys. Rev. Lett. , 68 : 1782
- Hahn , P. O. and Henzler , M. 1984 . J. Vac. Sci. Technol. , A2 : 574
- Henzler , M. 1987 . Solid State Devices 1986 , Inst. Phys. Conf. Ser., No. 82 39 Bristol : Institute of Physics .
- Pietsch , G. J. , Kohler , U. , Jusko , O. , Henzler , M. and Hahn , P. O. 1992 . Appl. Phys. Lett. , 60 : 1321
- Flitsch , R. and Raider , S. I. 1975 . J. Vac. Sci. Technol. , 12 : 305
- Raider , S. I. and Flitsch , R. 1978 . IBM J. Res. Dev. , 22 : 294
- Grunthaner , F. J. , Grunthaner , P. J. , Vasquez , R. P. , Lewis , B. F. , Maserjian , J. and Madhukar , A. 1979 . Phys. Rev. Lett. , 43 : 1683
- Ishizaka , A. , Iwata , S. and Kamigaki , Y. 1979 . Surf: Sci. , 84 : 355
- Ishizaka , A. and Iwata , S. 1980 . Appl. Phys. Lett. , 36 : 71
- Hattori , T. and Suzuki , T. 1983 . Appl. Phys. Lett. , 43 : 470
- Suzuki , T. , Muto , M. , Hara , M. , Yamabe , K. and Hattori , T. 1986 . Jpn. J. Appl. Phys. , 25 : 544
- Grunthaner , P. J. , Hecht , M. H. , Grunthaner , F. J. and Johnson , N. M. 1987 . J. Appl. Phys. , 61 : 629
- Uno , K. , Namiki , A. , Zaima , S. , Nakamura , T. and Ohtake , N. 1988 . Surf. Sci. , 193 : 321
- Namiki , A. , Tanimoto , K. , Nakamura , T. , Murayama , N. and Suzaki , T. 1988 . Surf Sci. , 203 : 129
- Namiki , A. , Tanimoto , K. , Nakamura , T. , Ohtake , N. and Suzaki , T. 1989 . Surf. Sci. , 222 : 530
- Hollinger , G. 1981 . Appl. Surf. Sci. , 8 : 318
- Bauer , R. S. 1983 . Proc. SPIE—Int. Soc. Opt. Engineers. , 452 : 160
- Hollinger , G. and Himpsel , F. J. 1984 . Appl. Phys. Lett. , 44 : 93
- Braun , W. and Kuhlenbeck , H. 1987 . Surf. Sci. , 180 : 279
- Hecht , M. H. , Grunthaner , F. J. , Pianetta , P. , Johansson , L. I. and Lindau , I. 1984 . J. Vac. Sci. Technol. , A2 : 584
- Hollinger , G. , Bergignat , E. , Chermette , H. , Himpsel , F. , Lohez , D. , Lannoo , M. and Bensoussan , M. 1987 . Philos. Mag. , B55 : 735
- Himpsel , F. J. , McFeely , F. R. , Talev-Ibrahimi , A. , Yarmoff , J. A. and Hollinger , G. 1988 . Phys. Rev. , B38 : 6084
- Yamagishi , H. , Koike , N. , Imai , K. , Yamabe , K. and Hattori , T. 1988 . Jpn. J. Appl. Phys. , 27 : L1398
- Takakura , M. , Ogura , T. , Hayashi , T. and Hirose , M. 1988 . Jpn. J. Appl. Phys. , 27 : L2213
- Hattori , T. , Yamagishi , H. , Koike , N. , Imai , K. and Yamabe , K. 1989 . Appl. Surf. Sci. , 41/42 : 416
- Hattori , T. , Takase , K. , Yamagishi , H. , Sugino , R. , Nara , Y. and Ito , T. 1989 . Jpn. J. Appl. Phys. , 28 : L296
- Lutz , F. , Bischoff , J. L. , Kubler , L. and Bolmont , D. 1989 . Phys. Rev. , B40 : 10356
- Lutz , F. , Kubler , L. , Bischoff , J. L. and Bolmont , D. 1989 . Phys. Rev. , B40 : 11747
- Sugiyama , K. , Igarashi , T. , Moriki , K. , Nagasawa , Y. , Aoyama , T. , Sugino , R. , Ito , T. and Hattori , T. 1990 . Jpn. J. Appl. Phys. , 29 : L2401
- Hattori , T. 1991 . Thin Solid Films , 206 : 1
- Niwano , M. , Katakura , H. , Takeda , Y. , Takakura , Y. and Miyamoto , N. 1991 . J. Vac. Sci. Technol. , A9 : 195
- Ogawa , H. , Terada , N. , Sugiyama , K. , Moriki , K. , Miyata , N. , Aoyama , T. , Sugino , R. , Ito , T. and Hattori , T. 1992 . Appl. Surf. Sci. , 5658 : 836
- Ogawa , H. and Hattori , T. 1992 . IEICE Trans. Electron. , E75-C : 757
- Ogawa , H. and Hattori , T. 1992 . Appl. Phys. Lett. , 61 : 577
- Banaszak Holl , M. M. and McFeely , F. R. 1993 . Phys. Rev. Lett. , 71 : 2441
- Ohishi , K. and Hattori , T. 1994 . Jpn. J. Appl. Phys. , 33 : L675
- Banaszak Holl , M. M. , Lee , S. and McFeely , F. R. 1994 . Appl. Phys. Lett. , 65 : 1097
- Aiba , T. , Yamauchi , K. , Shimizu , Y. , Tate , N. , Katayama , M. and Hattori , T. 1995 . Jpn. J. Appl. Phys. , 34 : 707
- Perfetti , P. , Quaresinla , C. , Coluzza , C. , Fortunato , C. and Margaritonndo , G. 1986 . Phys. Rev. Lett. , 57 : 2065
- Heimlich , C. , Kubota , M. , Murata , Y. , Hattori , T. , Morita , M. and Ohmi , T. 1990 . Vacuum , 41 : 793
- Bianconi , A. and Bauer , R. S. 1980 . Surf. Sci. , 99 : 76
- Hecht , M. H. , Grunthaner , F. J. and Pianetta , P. Proc. 18th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors . 1986 , Stockholm. Edited by: Engstrom , O. Vol. 1 , pp. 267 Singapore : World Science .
- Helms , C. R. , Johnson , N. M. , Schwarz , S. A. and Spicer , W. E. 1979 . J. Appl. Phys. , 50 : 7007
- Fernze , H. and Balk , P. 1980 . The Physics of MOS Insulators , Edited by: Lucovsky , G. , Pantelides , S. T. and Galeener , F. L. 246 New York : Pergamon .
- Adachi , T. and Helms , C. R. 1979 . Appl. Phys. Lett. , 35 : 199
- Ito , T. , Iwami , M. and Hiraki , A. 1980 . Solid State Commun. , 36 : 695
- Ito , T. , Iwami , M. and Hiraki , A. 1981 . J. Phys. Soc. Jpn. , 50 : 2704
- Ito , T. , Kataoka , Y. , Iwami , M. and Hiraki , A. 1981 . Jpn. J. Appl. Phys. , 20 : L417
- Ito , T. , Nishikuni , M. , Iwami , M. and Hiraki , A. 1981 . Jpn. J. Appl. Phys. , 20 : 2051
- Yoshimura , K. and Koma , A. Ext. Abstr. 16th (1984 Int.) Conf. on Solid State Devices and Materials . Kobe. pp. 293
- Edamoto , K. , Kubota , Y. , Kobayashi , H. , Onchi , M. and Nishijima , M. 1985 . J. Chem. Phys. , 83 : 428
- Aoto , N. , Ikawa , E. , Endo , N. and Kurogi , Y. 1990 . Surf Sci. , 234 : 121
- Iqbal , A. and Bates , C. W. Jr. 1985 . Appl. Phys. Lett. , 47 : 1064
- Taft , E. A. 1978 . J. Electrochem. Soc. , 125 : 968
- Aspnes , D. E. and Theeten , J. B. 1980 . J. Electrochem. Soc. , 127 : 1359
- Jellinson , G. E. Jr. and Modine , F. A. 1982 . J. Opt. Soc. Am. , 72 : 1253
- Yakovlev , V. A. and Irene , E. A. 1992 . J Electrochem. Soc. , 139 : 1450
- Yakovlev , V. A. , Liu , Q. and Irene , E. A. 1992 . J. Vac. Sci. Technol. , A10 : 427
- Ubara , H. , Imura , T. and Hiraki , A. 1984 . Solid State Commun. , 50 : 673
- Boyd , I. W. and Wilson , J. I. B. 1987 . J. Appl. Phys. , 62 : 3195
- Olsen , J. E. and Shimura , F. 1988 . Appl. Phys. Lett. , 53 : 1934
- Bjorkman , C. H. , Yamazaki , T. , Miyazaki , S. and Hirose , M. Proc. Int. Conf. on Advanced Microelectronic Devices and Pro cessing . Sendai. pp. 431
- Yasuda , N. and Toriumi , A. Ext. Abstr. of Int. Conf. on Solid State Devices and Mate rials . Yokohama. pp. 841
- Philipp , H. R. and Taft , E. A. 1982 . J. Appl. Phys. , 53 : 5224
- Miyata , N. , Moriki , K. , Fujisawa , M. , Hirayama , M. , Matsukawa , T. and Hattori , T. 1989 . Jpn. J. Appl. Phys. , 28 : L2072
- Haga , T. , Miyata , N. , Moriki , K. , Fujisawa , M. , Kaneoka , T. , Hirayama , M. , Matsukawa , T. and Hattori , T. 1990 . Jpn. J. Appl. Phys. , 29 : L2398
- Terada , N. , Haga , T. , Miyata , N. , Moriki , K. , Fujisawa , M. , Morita , M. , Ohmi , T. and Hattori , T. 1992 . Appl. Surf. Sci. , 56-58 : 832
- Terada , N. , Haga , T. , Miyata , N. , Moriki , K. , Fujisawa , M. , Morita , M. , Ohmi , T. and Hattori , T. 1992 . Phys. Rev. , 46 : 2312
- Yasuda , T. , Aspnes , D. E. , Lee , D. R. , Bjorkman , C. H. and Lucovsky , G. 1994 . J. Vac. Sci. Technol. , A12 : 1152
- Chongsawangvirod , S. , Irene , E. A. , Kalnitsky , A. , Tay , S. P. and Ellul , J. P. 1990 . J. Electrochem. Soc. , 137 : 3536
- Robinson , I. K. , Waskiewicz , W. K. , Tung , R. T. and Bohr , J. 1986 . Phys. Rev. Lett. , 57 : 2714
- Fuoss , P. H. , Norton , L. J. , Brennan , S. and Fissher-Colbrie , A. 1988 . Phys. Rev. Lett. , 60 : 600
- Iida , Y. , Shimura , T. , Harada , J. , Samata , S. and Matsushita , Y. 1991 . Surf. Sci. , 258 : 235
- Takahashi , I. , Shimura , T. and Harada , J. 1993 . J. Phys.: Condens. Matter. , 5 : 6525
- Takahashi , I. , Nakano , K. , Harada , J. , Shimura , T. and Umeno , M. 1994 . Surf. Sci. , 315 : L1021
- Tang , M-T. , Evans-Lutterodt , K. W. , Higashi , G. S. and Boone , T. 1993 . Appl. Phys. Lett. , 62 : 3144
- Tang , M-T. , Evans-Lutterodt , K. W. , Green , M. L. , Brasen , D. , Krisch , K. , Manchanda , L. , Higashi , G. S. and Boone , T. 1994 . Appl. Phys. Lett. , 64 : 748
- Hasegawa , E. , Ishitani , A. , Akimoto , K. , Tsukiji , M. and Ohta , N. 1995 . J. Electrochem. Soc. , 142 : 273
- Hahn , P. O. , Grundner , M. , Schnegg , A. and Jacob , H. 1988 . The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface , Edited by: Helms , C. R. and Deal , B. E. 401 New York : Plenum Press .
- Niwa , M. and Iwasaki , H. 1989 . Jpn. J. Appl. Phys. , 28 : L2320
- Suzuki , M. , Kudoh , Y. , Homma , Y. and Kaneko , R. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 58 : 2225
- Bjorkman , C. H. , Shearon , C. E. Jr. , Ma , Y. , Yasuda , T. , Lucovsky , G. , Emmerichs , U. , Meyer , C. , Leo , K. and Kun , H. 1993 . J. Vac. Sci. Technol. , A11 : 964
- Ito , F. and Hirayama , H. 1994 . Phys. Rev. , B50 : 11208
- Nielsen , B. , Lynn , K. G. , Chen , Yen-C and Welch , D. O. 1987 . Appl. Phys. Lett. , 51 : 1022
- Abbate , A. and Palma , F. 1989 . Appl. Phys. Lett. , 55 : 1306
- Zafar , S. , Liu , Q. and Irene , E. A. 1995 . J. Vac. Sci. Technol. , A13 : 47
- Hiroshima , M. , Yasaka , T. , Miyazaki , S. and Hirose , M. 1994 . Jpn. J. Appl. Phys. , 33 : 395
- Pantelides , S. T. and Long , M. 1978 . The Physics of SiO2 and Its Interface , Edited by: Pantelides , S. T. 339 New York : Pergamon .
- Herman , F. 1979 . J. Vac. Sci. Technol. , 16 : 1101
- Laughlin , R. B. , Joannopoulos , J. D. and Chadi , D. J. 1980 . Phys. Rev. , B21 : 5733
- Herman , F. and Kasowski , R. V. 1981 . J. Vac. Sci. Technol. , 19 : 395
- Sakurai , T. and Sugano , T. 1981 . J. Appl. Phys. , 52 : 2889
- Hattori , T. , Igarashi , T. , Ohi , M. and Yamagishi , H. 1989 . Jpn. J. Appl. Phys. , 28 : L1436
- Miyamoto , Y. and Oshiyama , A. 1991 . Phys. Rev. , B44 : 5931
- Kageshima , H. and Tabe , M. 1994 . Control of Semiconductor Interfaces , Edited by: Ohdomari , I. , Oshima , M. and Hiraki , A. 227 Amsterdam : Elsevier .
- Pasquarello , A. , Hybertsen , M. S. and Car , R. 1995 . Phys. Rev. Lett. , 74 : 1024
- Bennett , A. J. and Roth , L. M. 1971 . J. Phys. Chem. Solids , 32 : 1251
- Pantelides , S. T. 1982 . Thin Solid Films , 89 : 103
- Singh , J. and Madhukar , A. 1981 . Appl. Phys. Lett. , 38 : 884
- Kobera , E. and Irene , E. A. 1987 . J. Vac. Sci. Technol. , B5 : 15
- Bjorkman , C. H. , Fitch , J. T. and Lucovsky , G. 1990 . Appl. Phys. Lett. , 56 : 1983
- Ohmi , T. , Kotani , K. , Teramoto , A. and Miyashita , M. 1991 . IEEE Electron. Device Lett. , 12 : 652
- Massoud , H. Z. 1988 . J. Appl. Phys. , 63 : 2000
- Ohmi , T. , Matsumoto , K. , Nakamura , K. , Makihara , K. , Takano , J. and Yamamoto , K. 1993 . Appl. Phys. Lett. , 62 : 405
- Browning , R. , Sobolewski , M. A. and Helms , C. R. 1988 . Phys. Rev. , B38 : 13407
- Lucovsky , G. 1981 . J. Phys. , C4 : 741
- Sanderson , R. T. 1976 . Chemical Bods and Bond Energy, , 2nd ed. , New York : Academic Press .
- Ohmi , T. , Matsumoto , K. , Nakamura , K. , Makihara , K. , Takano , J. and Yamamoto , K. 1995 . J. Appl. Phys. , 77 : 1159
- Khosru , Q. D. M. , Yasuda , N. , Taniguchi , K. and Hamaguchi , C. 1995 . J. Appl. Phys. , 77 : 4494
- Kirton , M. J. and Uren , M. J. 1986 . Appl. Phys. Lett. , 48 : 1270
- Iechi , H. and Satoh , S. 1984 . Jpn. J. Appl. Phys. , 23 : L743
- Eer Nisse , E. P. 1977 . Appl. Phys. Lett. , 30 : 290
- Mott , N. F. 1987 . Philos. Mug. , B55 : 117
- Leroy , B. 1987 . Philos. Mag. , 55 : 159
- Bando , Y. and Ishizuka , K. 1979 . J. Non-Cryst. Solids , 33 : 375
- Morita , M. , Ohmi , T. and Hasegawa , E. 1990 . Solid-State Electron., Suppl. , 33 : 143
- Offenberg , M. , Liehr , M. , Rubloff , G. W. and Holloway , K. 1990 . Appl. Phys. Lett. , 57 : 1254
- Ibach , H. , Bruchmann , H. D. and Wagner , H. 1982 . Appl. Phys. , A29 : 113
- Morgen , P. , Hofer , V. , Wurth , W. and Umbach , E. 1989 . Phys. Rev. , B39 : 3720
- Hofer , V. , Morgen , P. , Wurth , W. and Umbach , E. 1989 . Phys. Rev. , B40 : 1130
- Ludeke , R. and Koma , A. 1975 . Phys. Rev. Lett. , 34 : 1170
- Hollinger , G. and Himpsel , F. J. 1983 . J. Vac. Sci. Technol. , A1 : 640
- Ibach , H. and Rowe , J. E. 1974 . Phys. Rev. , B10 : 710
- Yaguchi , H. , Fujita , K. , Fukatsu , S. , Shiraki , Y. , Ito , R. , Igarashi , T. and Hattori , T. 1992 . Surf Sci. , 275 : 395
- Ibach , H. , Horn , K. , Dorn , R. and Luth , H. 1973 . Surf. Sci. , 38 : 433
- Fujiwara , K. , Ogata , H. and Nishijima , M. 1977 . Solid State Commun. , 21 : 895
- Garner , C. M. , Lindau , I. , Su , C. Y. , Pianetta , P. and Spicer , W. E. 1979 . Phys. Rev. , B19 : 3944
- Tabe , M. , Chiang , T. T. , Lindau , I. and Spicer , W. E. 1986 . Phys. Rev. , B34 : 2706
- Leibsle , F. M. , Samsavar , A. and Chiang , T. X. 1988 . Phys. Rev. , B38 : 5780
- Tokumoto , H. , Miki , K. , Murakami , H. , Bando , H. , Ono , M. and Kajimura , K. 1990 . J. Vac. Sci. Technol. , A8 : 255
- Pelz , J. P. and Koch , R. H. 1990 . Phys. Rev. , B42 : 3761
- In-Whan , Lyo , Avouris , Ph. , Schubert , B. and Hoffmann , R. 1990 . J. Phys. Chem. , 94 : 4400
- Avouris , Ph. and In-Whan , Lyo . 1991 . Surf Sci. , 242 : 1
- Avouris , Ph. , In-Whan , Lyo and Bozso , F. 1991 . J. Vac. Sci. Technol. , B9 : 424
- Ono , Y. , Tabe , M. and Kageshima , H. 1993 . Phys. Rev. , B48 : 14291
- David Cahill , G. and Avouris , Ph. 1992 . Appl. Phys. Lett. , 60 : 326
- Hoshino , T. , Tsuda , M. , Oikawa , S. and Ohdomari , I. 1994 . Control of Semiconductor Interfaces , Edited by: Ohdomari , I. , Oshima , M. and Hiraki , A. 221 Amsterdam : Elsevier .
- Takahagi , T. , Nagai , I. , Ishitani , A. and Kuroda , H. 1988 . J. Appl. Phys. , 64 : 3516
- Takahagi , T. , Ishitani , A. , Kuroda , H. , Nagasawa , Y. , Ito , H. and Wako , S. 1990 . J. Appl. Phys. , 68 : 2187
- Jakob , P. , Dumas , P. and Chabal , Y. J. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 59 : 2968
- Watanabe , S. , Nakayama , N. and Ito , T. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 59 : 1458
- Watanabe , S. , Shigeno , M. , Nakayama , N. and Ito , T. 1991 . Jpn. J. Appl. Phys. , 30 : 3575
- Deleted in proof
- Watanabe , S. and Sugita , Y. 1995 . Surf. Sci. , 327 : 1
- Goto , K. , Aoyama , T. , Yamazaki , T. and Ito , T. 1992 . IEICE SDM92–49 33
- Bender , H. , Verhaverbeke , S. , Caymax , M. , Vatel , O. and Hynes , M. M. 1994 . J. Appl. Phys. , 75 : 1207
- Sakuraba , M. , Murota , J. and Ono , S. 1994 . J. Appl. Phys. , 75 : 3701
- Yablonovitch , E. , Allara , D. L. , Chang , C. C. , Gmitter , T. and Bright , T. B. 1986 . Phys. Rev. Lett. , 57 : 249
- Trucks , G. W. , Raghavachari , K. , Higashi , G. S. and Chabal , Y. J. 1990 . Phys. Rev. Lett. , 65 : 504
- Yabumoto , N. , Saito , K. , Morita , M. and Ohmi , T. 1991 . Jpn. J. Appl. Phys. , 30 : L419
- Hirashita , N. , Kinoshita , M. , Aikawa , I. and Ajioka , T. 1990 . Appl. Phys. Lett. , 56 : 451
- Hattori , T. 1993 . J. Vac. Sci. Technol. , B11 : 1528
- Thanh , Vinh , Eddrief , M. , Sebenne , C. A. , Dumas , P. , Taleb-Ibrahimi , A. , Gunther , R. , Chabal , Y. J. and Derrien , J. 1994 . J. Appl. Phys. Lett. , 64 : 3308
- Kern , W. 1990 . J. Electrochem. Soc. , 137 : 1887
- Hattori , T. , Nohira , H. , Tamura , Y. and Ogawa , H. 1992 . Jpn. J. Appl. Phys. , 31 : L638
- Nohira , H. , Tamura , Y. , Ogawa , H. and Hattori , T. 1992 . IEICE Trans. Electron. , E75-C : 757
- Hattori , T. , Nohira , H. , Ohishi , K. , Shimizu , Y. and Tamura , Y. 1993 . Mat. Res. Soc. Symp. Proc. , 315 : 387
- Hattori , T. , Aiba , T. , Iijima , E. , Okube , Y. , Nohira , H. , Tate , N. and Katayama , M. 5th Int. Conf. on Formation of Semiconductor Interfaces . Princeton. reported at
- Neuwald , U. , Hessel , H. E. , Feltz , A. , Memmert , U. and Behm , R. J. 1992 . Appl. Phys. Lett. , 60 : 1307
- Angermann , H. , Dittrich , Th. and Flietner , H. 1994 . Appl. Phys. , A59 : 193
- Ohmi , T. , Miyashita , M. , Itano , M. , Imaoka , T. and Kawabe , I. 1992 . IEEE Trans. Electron. Devices , ED-39 : 537
- Grundner , M. and Jacob , H. 1986 . Appl. Phys. , A39 : 73
- Gould , G. and Irene , E. A. 1987 . J. Electrochem. Soc. , 134 : 1031
- Nohira , H. , Saito , K. , Sakusabe , K. , Makihara , K. , Morita , M. , Ohmi , T. and Hattori , T. 1995 . Jpn. J. Appl. Phys. , 34 : 245
- Takano , J. , Makihara , K. and Ohmi , T. 1993 . Mat. Res. Soc. Symp. Proc. , 315 : 381
- Nagasawa , Y. , Ishida , H. , Takahagi , T. and Ishitani , H. 1990 . Solid-State Electron., Suppl. , 33 : 123
- Ohmi , T. , Morita , M. , Teramoto , A. , Makihara , K. and Tseng , K. S. 1992 . Appl. Phys. Lett. , 34 : 711
- Makihara , K. , Teramoto , A. , Nakamura , K. , Kwon , M. Y. , Morita , M. and Ohmi , T. 1993 . Jpn. 4. Appl. Phys. , 32 : 294
- Smith , F. W. and Ghidini , G. 1982 . J. Electro chem. Soc. , 129 : 1300
- Yasuda , M. , Ma , Y. , Habermehl , S. and Lucovsky , G. 1992 . Appl. Phys. Lett. , 60 : 434
- Yasuda , T. , Ma , Y. , Chen , Y. L. , Lucovsky , G. and Maher , D. 1993 . J. Vac. Sci. Technol. , A11 : 945
- Mikkelsen , J. C. Jr. 1981 . Appl. Phys. Lett. , 39 : 903
- Rochet , F. , Aguis , B. and Rigo , S. 1984 . J. Electrochem. Soc. , 131 : 914
- Mikkelsen , J. C. Jr. 1984 . Appl. Phys. Lett. , 45 : 1187
- Irene , E. A. and Lewis , E. A. 1987 . Appl. Phys. Lett. , 51 : 767
- Morita , M. , Ohmi , T. , Hasegawa , E. , Kawakami , M. and Suma , K. 1989 . Appl. Phys. Lett. , 55 : 562
- Morita , M. , Ohmi , T. , Hasegawa , E. , Kawakami , M. and Ohwada , M. 1990 . J. Appl. Phys. , 68 : 1272
- Yasaka , T. , Uenaga , S. , Yasutake , H. , Takakura , M. , Miyazaki , S. and Hirose , M. 1992 . Mat. Res. Soc. Symp. Proc. , 259 : 125
- Yasaka , T. , Takakura , M. , Sawara , K. , Uenaga , S. , Yasutake , H. , Miyazaki , S. and Hirose , M. 1992 . IEICE Trans. Electron. , E75-C : 764
- Zwan van der , M. L. W. , Bard well , J. A. , Sproule , G. I. and Graham , M. J. 1994 . Appl. Phys. Lett. , 64 : 446
- Yabumoto , N. , Minegishi , K. , Komine , Y. and Saito , K. 1990 . Jpn. J. Appl. Phys. , 29 : L490
- Irene , E. A. 1988 . The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface , Edited by: Helms , C. R. and Deal , B. E. 61 New York : Plenum Press .
- Hattori , T. , Yamagishi , H. , Koike , N. , Imai , K. and Yamabe , K. 1988 . The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface , Edited by: Helms , C. R. and Deal , B. E. 235 New York : Plenum Press .