References
- Williams , J. S. and Austin , M. W. 1980 . Nucl. Instr. Meth. , 168 : 307
- Sadana , D. K. 1985 . Nucl. Instr. Meth. Phys. Research , B7/8 : 375
- Morehead , F. F. and Crowder , B. L. 1970 . Rad. Eff. , 6 : 27
- Vook , F. L. and Stein , H. J. 1969 . Rad. Eff. , 59 : 69
- Vook , F. L. 1972 . Radiation Damage and Defects in Semiconductors , Edited by: Whitehouse , J. H. London : Inst. of Phys. .
- Chadderton , L. T. 1971 . Rad. Eff. , 8 : 77
- Dennis , J. R. and Halle , E. V. 1976 . Rad. Eff. , 30 : 219
- Stein , H. J. , Vook , F. L. , Brice , D. K. , Borders , J. A. and Picraux , S. T. 1971 . Proc. 1st Int. Conf. on Ion Implantation , Edited by: Chadderton , L. T. and Eisen , F. H. 17 London : Gordon and Breach .
- Dennis , J. R. and Hale , E. B. 1978 . Appl. Phys. , 49 : 1119
- Gibbons , J. F. 1972 . Proc. IEEE , 60 : 1062
- Chu , W. K. , Mayer , J. W. and Nicolet , M. A. 1978 . Backscattering Spectroscopy , New York : Acad. Press .
- Schmid , K. 1973 . Rad. Eff. , 17 : 201
- Biersack , J. P. and Haggmark , L. G. 1980 . Nucl. Instr. and Meth. , 174 : 254
- Sands , T. , Sadana , D. J. , Gronsky , R. and Washburn , J. 1984 . Appl. Phys. Lett. , 44 : 874
- Sadana , D. K. , Choksi , H. , Washburn , J. , Byrme , P. F. and Cheung , N. W. 1984 . Appl. Phys. Lett. , 44 : 301
- Bourgoin , J. C. , Morhange , J. F. and Beserman , R. 1974 . Radiation Effects , 22 : 205