References
- Scott , J. F. and Araujo , C. A. 1989 . Science , 246 : 1400
- Maffei , N. and Krupanidhi , S. B. 1992 . J. Appl. Phys. , 72 : 3617
- Nicollian , E. H. and Brews , J. R. 1982 . MOS Physics and Technology , New York : Wiley .
- Yamaguchi , T. , Koyama , M. , Takashima , A. and Takagi , S. 2000 . Jpn. J. Appl. Phys. , 39 : 2058
- Wu , S. Y. 1974 . IEEE Trans. Electron Devices , ED-21 : 499
- Yu , J. , Hong , Z. , Zhou , W. , Cao , G. , Xie , J. , Li , X. , Li , S. and Li , Z. 1997 . Appl. Phys. Lett. , 70 : 490
- Sugiyama , H. , Nakaiso , T. , Adachi , Y. , Noda , M. and Okuyama , M. 2000 . Jpn. J. Appl. Phys. , 39 : 2131
- Buhay , H. , Sinharoy , S. , Kasner , W. H. , Francombe , H. , Lampe , D. R. and Stepke , E. 1991 . Appl. Phys. Lett. , 58 : 1470
- Park , B. H. , Kang , B. S. , Bu , S. D. , Noh , T. W. , Lee , J. and Jo , W. 1999 . Nature , 401 : 682