References
- Ivanova, E. I., Novogrudskii, B. V. and Paritskii, L. G., Sov. Phys. Semicond., 6, 1585 (1973).
- Zeinally, A. Kh., Lebedeva, N. N., Paritskii, L. G. and Salamov, B. G., J. Photogr. Sci., 39, 114 (1991).
- Fillard, J., Revue Phys. Appl., 23, 765 (1988).
- Green, R. B., Keller, R. A., Luther, G. G, Schenck, R. K. and Travis, J.J., Appl. Phys. Lett., 29, 727 (1976).
- Astrov, Y. A., Beregulin, E. V., Paritskii, L. G. and Ryvkin, S. M., Sov. Phys. Tekh. Phys., 48, 393 (1978).
- Salamov, B. G, Akinoglu, B. G, Ellialtioglu, S. and Lebedeva, N. N., J. Photogr. Sci., 42, 106 (1994).
- Martin, G. M. and Makram-Ebeid, S., Deep Levels in Semiconductors, Eds. Pantelides (1983).
- Fillard, J. P., Gall, P., Asgarania, M., Castagne, M. and Barowdi, M., Jpn. J. Appl. Phys., 27, 1899 (1988).
- Kazmerski, L. L. and Wagner, S., Copper indium Diselenide for Photovoltaic Applications, Eds Coutts, T. J., Elsevier, Amsterdam (1986).
- Tanaka, K., Kosugi, M., Ando, F., Ushiki, T., Usui, H. and Sato, K., Jpn. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 32-3,113 (1993).
- Blaszuk, P. R., USA Patent 3 743 881 (1973).
- Salamov, B. G, Ellialtioglu, S., Akinoglu, B. G., Lebedeva, N. N. and Paritskii, L. G., J. Phys. D: Appl. Phys., 29, 628 (1996).
- Ushiki, T., Ueno, A., Yani, T., Sano, H., Usui, H. and Sato, K., Jpn. J. Appi. Phys., 32, Suppl. 32-3, 103 (1993).
- Grinberg, A. A., Paritskii, L. G. and Udod, L. V., Sov. Phys. Semicond., 6, 490 (1972).