References
- R. F. Davis and M. S. Shur: 'GaN-based materials and devices: growth, fabrication, characterizaton and performance'; 2004, Singapore, World Scientific.
- S. J. Pearton: 'GaN and related materials': 1997, Boca Raron, FL, CRC Press.
- J. C. Zolper, R. J. Shul, A. G. Baca, R. G. Wilson and S. J. Pearton: Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 2273–2275.
- M. Nyk, R. Kudrawiec, W. Strek and J. Misiewicz: Opt. Mater., 2006, 28, 767–770.
- R. Garcia, G. A. Hirata, A. C. Thomas and F. A. Ponce: Opt. Mater., 2006, 29, 19–23.
- Y. Azuma, M. Shimada and K. Okuyama: Chem. yap. Deposit., 2004, 10, 11–13.
- Y. Yang, V. J. Leppert, S. H. Risbud, B. Twamley, P. P. Power and H. W. H. Lee: Appl. Phys. Lett., 1999, 74, 2262–2264.
- J. F. Janik and R. L. Wells: Chem. Mater., 1996, 8, 2708–2711.
- H. D. Li, S. L. Zhang, H. B. Yang, G. T. Zou, Y. Y. Yang, K. T. Yue, X. H. Wu and Y. Yan: J. Appl. Phys., 2002, 91, 4562–4567.
- A. Koo, F. Budde, B. J. Ruck, H. J. Trodahl, A. Bittar, A. Peston and A. Zeinert: J. Appl. Phys., 2006, 99, 034312-034311-034312-034317.
- Y. Xie, Y. Qian, W. Wang, S. Zhang and Y. Zhang: Science, 1996, 272, 1926–1927.
- A. C. Frank, F. Stowasser, H. Sussek, H. Pritzkow, C. R. Miskys, O. Ambacher, M. Giersig and R. A. Fischer: J. Am. Chem. Soc., 1998, 120, 3512–3513.
- M. Asghar, I. Hussain, F. Saleemi, E. Bustarret, J. Cibert, S. Kuroda, S. Marcet, H. Mariette and A. S. Bhatti: Mater. Sci Eng. B, 2006, B133, 102–107.
- H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller and S. P. DenBaars: Chem. Phys. Lett., 2001, 345, 245–251.
- J. Q. Ning, S. J. Xua, D. P. Yu, Y. Y. Shan and S. T. Lee: Appl. Phys. Lett., 2007, 91, 103117-103111-103117-103113.
- C.-C. Chen, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, H.-L. Liu, J.-J. Wu, K.-H. Chen, L.-C. Chen, J.-Y. Peng and Y.-F. Chen: J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 2791–2798.
- W. Gebicki, J. Strzeszewski, G. Kamler, T. Szyszko and S. Podsiado: Appl. Phys. Lett., 2000, 76, 3870.
- W. Limmer, W. Ritter, R. Sauer, B. Mensching, C. Liu and B. Rauschenbach: Appl. Phys. Lett., 1998, 72, 2589.
- H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filippidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann and C. Thomsen: Phys. Rev. B, 1997, 55B, 7000–7004.
- M. C. M. de Lucas, F. Fabreguette, M. Linsavanh, L. Imhoff, O. Heintz, C. Josse-Courty, M. T. Mesnier, V. Potin, S. Bourgeois and M. Sacilotti: J. Cryst. Growth, 2004, 261, 324–329
- G. Pan, M. E. Kordesch and P. G. V. Patten: Chem. Mater., 2006, 18, 5392–5394.
- B. W. Jacobs, V. M. Ayres, M. P. Petkov, J. B. Halpern, M. He, A. D. Baczewski, K. McElroy, M. A. Crimp, J. Zhang and H. C. Shaw: Nano Lett., 2007, 7, 1435–1438.
- T. Ogi, Y. Itoh, M. Abdullah, F. Iskandar, Y. Azuma and K. Okuyama: J. Cryst. Growth, 2005, 281, 234–241.