547
Views
31
CrossRef citations to date
0
Altmetric
Original Articles

SELECTIVE REMOVAL OF HIGH-K GATE DIELECTRICS

, , , &
Pages 1475-1535 | Published online: 04 Sep 2009

References

  • Abramson , M. B. and King , C. B. ( 1939 ). J. Am. Chem. Soc. , 61 , 2290 .
  • Agarwal , A. , Freiler , M. , Lysaght , P. , Perrymore , L. , Bergmann , R. , Sparks , C. , Bowers , B. , Barnett , J. , Riley , D. , Kim , Y. , Nguyen , B. , Bersuker , G. , Shero , E. , Lim , J. E. , Lin , S. , Chen , J. , Murto , R. W. , and Huff , H. R. ( 2002 ). Challenges in integrating the high-k gate dielectric film to the conventional CMOS process flow , in: Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing II , ed. S. A. Campbell , L. A. Clevenger , P. B. Griffin , and C. C. Hobbs , K2.1.1, Materials Research Society , Warrendale , Penn .
  • An , T.-H. , Park , J.-Y. , Yeom , G.-Y. , Chang , E.-G. , and Kim , C.-I. ( 2000 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 18 , 1373 .
  • Baek , K. H. , Park , C. , and Lee , W. G. ( 1999 ). Jpn. J. Appl. Phys. , 38 , 5829 .
  • Baklanov , M. , Green , M. , and Maex , K. , ed. ( 2007 ). Dielectric Films for Advanced Microelectronics , John Wiley , Hoboken , N.J.
  • Balasubramanian , M. , Bera , L. K. , Mathew , S. , Balasubramanian , N. , Lim , V. , Joo , M. S. , and Cho , B. J. ( 2004 ). Thin Solid Films , 101–102 , 462 .
  • Balog , M. , Schieber, Michman , M. , and Patai , S. ( 1977 ). Thin Solid Films , 41 , 247 .
  • Banjo , T. , Tsuchihashi , M. , Hanazaki , M. , Tuda , M. , and Ono , K. ( 1997 ). Jpn. J. Appl. Phys. , 36 , 4824 .
  • Barnett , J. , Riley , D. , Messina , T. C. , Lysaght , P. , and Carpio , R. ( 2003b ). Wet etch enhancement of HfO2 films by implant processing , in: Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces V , 11, Trans Tech Publications , Enfield , N.H.
  • Bellandi , E. , Crivelli , B. , and Alesssandri , M. ( 2003 ). In Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces V , 15 – 18 , Trans Tech Publications , Enfield , N.H .
  • Bersuker , G. , Gutt , J. , Chaudhary , N. , Moumen , N. , Lee , B. H. , Barnett , J. , Gopalan , S. , Brown , G. , Kim , Y. , Young , C. D. , Peterson , J. , Li , H.-J. , Zeitzoff , P. M. , Sim , J. H. , Lysaght , P. , Gardner , M. , Murto , R. W. , and Huff , H. R. ( 2004 ). in: 2004 IEEE International Reliability Physics Symposium: Proceedings , 479 , IEEE , 25–29 April 2004 , Phoenix, A.Z.
  • Breitbarth , F. W. ( 1992 ). Plasma Chem. Plasma Process. , 12 , 261 .
  • Britten , J. A. , Nguyen , H. T. , Falabella , S. F. , Shore , B. W. , and Perry , M. D. ( 1996 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 14 , 2973 .
  • Bruce , R. H. and Malafsky , G. P. (1983). J. Electrochem. Soc. , 130, 1369.
  • Buchanan , D. A. , Gusev , E. P. , Cartier , E. , Okorn-Schmidt , H. , Rim , K. , Gribelyuk , M. A. , Mocuta , A. , Ajmera , A. , Copel , M. , Giha , S. , Bojarczuk , N. , D'Emic , C. , Kozlowski , P. , Chan , K. , Fleming , R. J. , Jamison , P. C. , Brown , J. , and Arndt , R. ( 2000 ). 80 nm poly-silicon gated n-FETs with ultra-thin Al2O3 gate dielectric for ULSI applications , Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. , 223 – 226 .
  • CRC Handbook of Chemistry and Physics, 63rd ed. (1982–1983a). B-74, CRC Press, Boca Raton, Fla .
  • CRC Handbook of Chemistry and Physiscs, 63rd ed. (1982–1983b). B-138, B-160, CRC Press, Boca Raton, Fla .
  • CRC Handbook of Chemistry and Physics, 63rd ed. (1982–1983c). B-101, B-163, CRC Press, Boca Raton, Fla .
  • CRC Handbook of Chemistry and Physics, 85th ed. (2004–2005) .
  • Chambers , J. J. , Rotondaro , A. , Bevan , M. , Visokay , M. and Colombo , L. ( 2001 ). Abstract 1434 , in: ULSI Process Integration II: Proceedings of the International Symposium , Electrochemical Society , Pennington , N.J.
  • Chang , W.-T. , Hseih , T.-E. , and Lee , C.-J. ( 2007 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 25 , 1265 .
  • Chen , J. , Tan , K. M. , Wu , N. , Yoo , W. J. , and Chan , D. S. H. ( 2004a ). J. Vac. Sci. Technol. A , 21 , 1210 .
  • Chen , J. , Yoo , W. J. , Tan , Z. Y. L. , Wang , Y. , and Chan , D. S. H. ( 2004b ). J. Vac. Sci. Technol. A , 22 , 1552 .
  • Chen , J. , Yoo , W. J. , Chan , D. S. H. , and Kwong , D.-L. ( 2004c ). Electrochem. Solid-State Lett. , 7 , 18 .
  • Chen , J. , Yoo , W. J. , and Chan , D. S. H. ( 2006 ). J. Electrochem. Soc. , 153 , G483 .
  • Christenson , K. , Schwab , B. , Wagener , T. , Rosengren , B. , Riley , D. , and Barnett , J. ( 2003 ). Selective wet etching of high-k gate dielectrics , Solid State Phenomena , 92 , 129 .
  • Claes , M. , Paraschiv , V. , Boutkabout , H. , De Gendt , S. , Richard , O. , Lindsay , R. , Boullart , W. , and Heyns , M. ( 2003 ). in: Physics and Technology of High-k Gate Dielectrics II: Proceedings of the Second International Symposium on High Dielectric Constant Materials , ed. S. Kar , Electrochemical Society , Pennington , N.J .
  • Claes , M. , De Gendt , S. , Witters , T. , Kaushik , V. , Conard , T. , Zhao , C. , Manabe , Y. , Delabie , A. , Rohr , E. , Chen , J. , Tsai , W. , and Heyns , M. M. ( 2004 ). J. Electrochem. Soc. , 151 ( 11 ), F269 .
  • Claes , M. , Paraschiv , V. , Dictus , D. , Conard , T. , Boullart , W. , Vanhaelemeersch , S. , and De Gendt , S. ( 2005 ). Wet etch characteristics of Hf-silicates, paper presented at 208th ECS Meeting, 16–21 October, Los Angeles .
  • Cunge , G. , Pelissier , B. , Joubert , O. , Ramos , R. , and Maurice , C. ( 2005 ). Plasma Sources Sci. Technol. , 14 , 599 .
  • Demand , M. , Paraschiv , V. , Shamiryan , D. , Veloso , A. , Vrancken , C. , Brus , S. , and Boullart , W. ( 2007 ). in: Proceedings of the 29th International Symposium on Dry Process , 289 , Tokyo , Japan , 13 – 14 November 2007 .
  • Fleddermann , C. B. and Hebner , G. A. ( 1997 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 15 , 1955 .
  • Fleddermann , C. B. , and Hebner , G. A. ( 1998 ). J. Appl. Phys. , 83 , 4030 .
  • Garrido , B. , Montserrat , J. , and Morante , J. R. ( 1996 ). J. Electrochem. Soc. , 143 ( 12 ), 4059 .
  • Gottscho , R. A. and Gaebe , C. E. ( 1986 ). IEEE Trans. Plasma Sci. , PS-14 , 92 .
  • Gray , D. C. , Tepermeister , I. , and Sawin , H. H. ( 1993 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 11 , 1243 .
  • Greenwood , N. N. and Earnshaw , A. ( 1997 ). Chemistry of the Elements , Butterworth , London .
  • Gurvitch , M. , Manchanda , L. , and Gibson , J. M. ( 1989 ). Appl. Phys. Lett. , 55 , 360 .
  • Gusev , E. P. , Cabral , Jr. , C. , Copela , M. , D'Emica , C. , and Gribelyukb , M. ( 2003 ). Microelectr. Eng. , 69 , 145 .
  • Hebner , G. A. ( 1996a ). J. Appl. Phys. , 80 , 3215 .
  • Hebner , G. A. ( 1996b ). J. Vac. Sci. Technol. A , 14 , 2158 .
  • Hebner , G. A. ( 1997 ). J. Appl. Phys. , 81 , 578 .
  • Hebner , G. A. and Fleddermann , C. B. (1998). J. Appl. Phys. , 83, 5102.
  • Hebner , G. A. , Fleddermann , C. B. , and Miller , P. A. ( 1997 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 15 , 2698 .
  • Hebner , G. A. , Blain , M. G. , and Hamilton , T. W. ( 1999 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 17 , 3218 .
  • Hélot , M. , Chevolleau , T. , Vallier , L. , Joubert , O. , Blanquet , E. , Pisch , A. , Mangiagalli , P. , and Lill , T. ( 2006 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 24 , 30 .
  • Hobbs , C. C. and Tobin , P. J. ( 2003 ). U.S. Patent 6,818,493 .
  • Hu , Y.-Z. and S.-P Tay , S.-P. ( 2001 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 19 ( 5 ), 1706 .
  • Hubbard , K. J. and Schlom , D. G. ( 1996 ). J. Mater. Res. , 11 , 2757 .
  • IUPAC . ( 1982 ). Stability Constants of Metal Ion Complexes ; part A, 188, Pergamon Press , Oxford .
  • JANAF Thermochemical Tables, 1985 Supplement 1 . ( 1985 ). J. Phys. Chem. Ref. Data , 14 .
  • Jang , J. W. , Lee , Y. H. , Lee , Y. J. , Lee , J. , and Yeom , G. Y. ( 2000 ). Surf. Coat. Technol. , 131 , 252 .
  • Jeon , S. and Hwang , H. ( 2002 ). J. Appl. Phys. , 81 , 4856 .
  • Jeon , S. and Hwang , H. ( 2003 ). J. Appl. Phys. , 93 ( 10 ), 6393 .
  • Jeong , C. H. , Kim , D. W. , Bae , J. W. , Sumg , Y. J. , Kwak , J. S. , Park , Y. J. , and Yeom , G. Y. ( 2002 ). Mater. Sci. Eng. B , 93 , 60 .
  • Joen , S. , Choi , C.-J. , Seong , T.-Y. , and Hwang , H. ( 2001 ). Appl. Phys. Lett. , 79 , 245 .
  • Joubert , O. , Cunge , G. , Pelissier , B. , Vallier , L. , Kogelschatz , M. , and Pargon , E. ( 2004 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 22 , 553 .
  • Keaton , A. L. and Hess , D. W. ( 1985 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 3 , 962 .
  • Kezuka , T. , Itano , M. , and Ohmi , T. ( 1999 ). in: Proceedings of the Sixth International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing , 244 – 260 , Electrochemical Society , Pennington , N.J.
  • Kim , D.-P. , Yeo , J.-W. , and Kim , C.-I. ( 2004 ). Thin Solid Films , 459 , 122 .
  • Kim , M. , Min , N.-K. , Yun , S.-J. , Lee , H. W. , Efremov , A. , and Kwon , K.-H. ( 2008a ). Microelectron. Eng. , 85 , 348 .
  • Kim , M. , Min , N.-K. , Yun , S. J. , Lee , H. W. , Efremov , A. , and Kwon , K.-H. ( 2008b ). J. Vac. Sci. Technol. A , 26 , 344 .
  • Kitagawa , T. , Nakamura , K. , Osari , K. , Takahashi , K. , Ono , K. , Oosawa , M. , Hasaka , S. , and Inoue , M. ( 2006 ). Jpn. J. Appl. Phys. , 45 , L297 .
  • Knotter , D. M. ( 2000 ). Etching mechanisms of vitreous silicon dioxide in HF-based solutions , J. Am. Chem. Soc. , 122 ( 18 ), 4345 .
  • Kralik , B. , Chang , E. K. , and Louie , S. G. ( 1998 ). Phys. Rev. B , 57 , 7027 .
  • Kume , S. , Nishimori , H. , Sugahara , H. , Hishinuma , N. , and Arikado , T. ( 2003 ). in: Proceedings of 2003 IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing , September 30–October 2, 2003, San Jose, California , 179, IEEE , New York .
  • Le Gouil , A. , Pargon , E. , Cunge , G. , Joubert , O. , and Pelissier , B. ( 2006 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 24 , 2191 .
  • Lee , H. , Jeon , S. , and Hwang , H. ( 2001 ). Appl. Phys. Lett. , 79 , 2615 .
  • Liu , L. , Pey , K. L. , and Foo , P. ( 1996 ). HF wet etching of oxide after ion implantation , in: 1996 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting: Proceedings, 29 June 1996 , Institute of Electrical and Electronics Engineers , New York .
  • Lowalekar , V. and Raghavan , S. ( 2004 ). J. Mater. Res. , 19 ( 4 ), 1149 .
  • Luxenburg , P. and Kim , J. I. ( 1980 ). J. Phys. Chem. , 121 , 87 .
  • Lysaght , P. , Foran , B. , Stemmer , S. , Bersuker , G. , Bennet , J. , Tichy , R. , Larson , L. , Huff , H. R. ( 2003 ). Microelectron. Eng. , 69 , 182 .
  • Maeda , T. , Ito , H. , Mitsuhashi , R. , Horiuchi , A. , Kawahara , T. , Muto , A. , Sasaki , T. , Torii , K. , and Kitajama , H. ( 2004 ). Jpn. J. Appl. Phys. , 43 , 1864 .
  • Manchanda , L. , Busch , B. , Green , M. L. , Morris , M. , van Dover , R. B. , Kwo , R. , and Aravamudhan , S. (2001). High K gate dielectrics for the silicon industry, in: Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator: IWGI 2001 , 56–60, Business Center for Academic Societies Japan , Tokyo.
  • Mane , A. U. , Wenger , C. , Schroeder , T. , Zaumseil , P. , Lippert , G. , Weidner , G. , and Mussig , H. J. ( 2005 ). J. Electrochem. Soc. , 152 ( 6 ), C399 .
  • Mantenieks , M. A. ( 1997 ). in: Proceedings of the 25th International Electric Propulsion Conference , August 24 – 28 , 1997, Cleveland, Ohio .
  • Meeks , E. , Ho , P. , Ting , A. , and Buss , R. J. ( 1998 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 16 , 2227 .
  • Miller , P. A. , Hebner , G. A. , Greenberg , K. E. , Pochan , P. D. , and Aragon , B. B. ( 1995 ). J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. , 100 , 427 .
  • Mitsuhashi , R. , Kubota , M. , and Hayashi , S. ( 2003 ). U.S. Patent 6,667,246 .
  • Moore , G. E. ( 1965 ). Electronics , 38 , 114 .
  • Nakamura , K. , Hamada , D. , Ueda , Y. , Eriguchi , K. , Baklanov , M. B. , and Ono , K. ( 2009 ). Appl. Phys. Express , 2 , 016503 .
  • Nakamura , K. , Kitagawa , T. , Osari , K. , Takahashi , K. , and Ono , K. ( 2006 ). Vacuum , 80 , 761 .
  • Nakano , T. , Sadeghi , N. , Trevor , D. J. , Gottscho , R. A. , and Boswell , R. W. ( 1992 ). J. Appl. Phys. , 72 , 3384 .
  • Norasetthekul , S. , Park , P. Y. , Baik , K. H. , Lee , K. P. , Shin , J. H. , Jeong , B. S. , Shishoda , V. , Lambers , E. S. , Norton , D. P. , and Pearton , S. J. ( 2001 ). Appl. Surf. Sci. , 185 , 27 .
  • Norasetthekul , S. , Park , P. Y. , Baik , K. H. , Lee , K. P. , Shin , J. H. , Jeong , B. S. , Shishoda , V. , Norton , D. P. , and Pearton , S. J. ( 2002 ). Appl. Surf. Sci. , 187 , 75 .
  • Nordheden , K. J. and Sia , J. F. ( 2003 ). J. Appl. Phys. , 94 , 2199 .
  • Onishi , K. , Kang , L. , Choi , R. , Dharmarajan , E. , Gopalan , S. , Joen , Y. , Kang , C. , Lee , B. , Nieh , R. , and Lee , J. C. ( 2001 ). Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. , 131 .
  • Onsia , B. , Hellin , D. , Claes , M. , Maes , A. , De Gendt , S. , and M. Heyns , M. ( 2003 ). Solid State Phenomena , 92 , 19 .
  • Osten , H. J. , Liu , J. P. , Gaworzewski , P. , Bugiel , E. , and Zaumseil , P. ( 2001 ). High-k gate dielectrics with ultra-low leakage current based on praseodynium oxide , Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. , 653 .
  • Overzet , L. J. and Luo , L. ( 1991 ). Appl. Phys. Lett. , 59 , 161 .
  • Paraschiv , V. , Claes , M. , Boullart , W. , De Gendt , S. , and Vanhaelemeersch , S. J. Electrochem. Soc. , in press .
  • Park , P. Y. , Norasetthekul , S. , Lee , K. P. , Baik , K. H. , Gila , B. P. , Shin , J. H. , Abernathy , C. R. , Ren , F. , Lambers , E. S. , and Pearton , S. ( 2001 ). J. Appl. Surf. Sci. , 185 , 52 .
  • Pelhos , K. , Donnelly , V. M. , Kornblit , A. , Green , M. L. , Van Dover , R. B. , Manchanda , L. , Hu , Y. , Morris , M. , and Bower , E. ( 2001 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 19 , 1361 .
  • Petrovic , Z. L. , Wang , W C. , Suto , M. , Han , J. C. , and Lee , L. C. ( 1990 ). J. Appl. Phys. , 67 , 675 .
  • Quevedo-Lopez , M. , El-Bouanani , M. , Addepalli , S. , Duggan , J. L. , Gnade , B. E. , Wallace , R. M. , Visokay , M. R. , Douglas , M. , Bevan , M. J. , and Colombo , L. ( 2001 ). Appl. Phys. Lett. , 79 , 2958 .
  • Quevedo-Lopez , M. A. , El-Bouanani , M. , Wallace , R. M. , and Gnade , B. E. ( 2002 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 20 , 1891 .
  • Quevedo-Lopez , M. A. , El-Bouanani , M. , Kim , M. J. , Gnade , B. E. , Wallace , R. M. , Visokay , M. R. , LiFatou , A. , Chambers , J. J. , and Colombo , L. ( 2003 ). Appl. Phys. Lett. , 82 , 4669 .
  • Ragnarsson , L.-A. , Chang , V. S. , Yu , H. Y. , Cho , H.-J. , Conard , T. , Kai , M. Y. , Delabie , A. , Swerts , J. , Schram , T. , De Gendt , S. , and Biesjemans , S. ( 2007 ). IEEE Electron Device Lett. , 28 , 486 .
  • Ramanathan , S. , Mclntyre , P. C. , Luning , J. , Lysaght , P. S. , Yang , Y. , Chen , Z. , and Stemmer , S. ( 2003 ). J. Electrochem. Soc. , 150 , F173 .
  • Ramos , R. , Cunge , G. , and Joubert , O. ( 2007 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 25 , 290 .
  • Saenger , K. L. , Okorn-Schmidt , H. F. , and D'Emic , C. P. (2003a). A selective etching process for chemically inert high-k metal oxides, in Novel Materials and Processes for Advanced CMOS , ed. M. I. Gardner , S. De Gendt , J.-P. Marin , and S. Stemmer , 29, Materials Research Society , Warrendale , Penn.
  • Saenger , K. , Okorn-Schmidt , H. , and D'emic , C. ( 2003b ). In Novel Materials and Processes for Advanced CMOS , 79, Materials Research Society , Warrendale , Penn .
  • Scheller , G. R. , Gottscho , R. A. , Intrator , T. , and Graves , D. B. ( 1988 ). J. Appl. Phys. , 64 , 4384 .
  • Schwalke , U. , Boye , K. , Haberle , K. , Heller , R. , Hess , G. , Muller , G. , Ruland , T. , Tzschockel , G. , Osten , J. , Fissel , A. , and Mussig , H.-J. ( 2002 ). in: Proceedings of the 32nd European Solid State Device Research Conference: ESSDERC , 24 – 27 September 2002, 407, Florence, Italy .
  • Seo , M. , Kim , S. K. , Kim , K.-M. , Park , T. J. , Kim , J. H. , Hwang , C. S. , and Cho , H. J. ( 2006 ). ECS Trans. , 1 ( 5 ), 211 .
  • Sha , L. and Chang , J. P. ( 2003 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 21 , 1915 .
  • Sha , L. and Chang , J. P. ( 2004 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 22 , 88 .
  • Sha , L. , Cho , B.-O. , and Chang , J. P. ( 2002 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 20 , 1525 .
  • Sha , L. , Puthenkovilakam , R. , Lin , Y.-S. , and Chang , J. P. ( 2003 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 21 , 2420 .
  • Shamiryan , D. , Paraschiv , V. , Claes , M. , and Boullart , W. ( 2006 ). In Defects in High-k Gate Dielectric Stacks , ed. E. Gusev , 331 – 338 , Springer, Dordrecht .
  • Shamiryan , D. , Paraschiv , V. , Eslava-Fernandez , S. , Demand , M. , Baklanov , M. , Beckx , S. , and Boullart , W. ( 2007 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 25 , 739 .
  • Shamiryan , D. , Demand , M. , and Paraschiv , V. ( 2009 ). U.S. Patent 7,521,369. European patent application EP 1 923 910 A2, patent pending .
  • Shamiryan , D. , Danila , A. , Paraschiv , V. M. , Baklanov , M. , and Boullart , W. , J. Vac. Sci. Technol. B , in press .
  • Shamiryan , D. , Paraschiv , V. , Baklanov , M. , and Boullart , W. , J. Vac. Sci. Technol. B , in press .
  • Shih , K. K. , Chieu , T. C. , and Dove , D. B. ( 1993 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 11 , 2130 .
  • Shul , R. J. and Pearton , S. J. , ed. ( 2000 ). Handbook of Advanced Plasma Processing Techniques , 2, Springer , New York .
  • Steinbrüchel , C. ( 1989 ). Appl. Phys. Lett. , 55 , 1960 .
  • Stockdale , J. A. , Nelson , D. R. , Davis , F. J. , and Compton , R. N. ( 1972 ). J. Chem. Phys. , 56 , 3336 .
  • Stuart , R. V. and Wehner , G. K. ( 1962 ). J. Appl. Phys. , 33 ( 7 ), 2345 .
  • Suzuki , K. , Tashiro , H. , Morisaki , Y. , and Sugita , Y. ( 2003 ). IEEE Trans. Electron Devices , 50 , 1550 .
  • Takahashi , K. and Ono , K. ( 2006 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 24 , 437 .
  • Takahashi , K. , Ono , K. , and Setsuhara , Y. ( 2005 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 23 , 1691 .
  • Timp , G. , Agarwal , A. , Baumann , F. H. , Boone , T. , Buonanno , M. , Cirelli , R. , Donnelly , V. , Foad , M. , Grant , D. , Green , M. , Gossman , H. , Hillenisu , S. , Jackson , J. , Jacobson , D. , Kleiman , R. , Kornblit , A. , Klemens , F. , Lee , J. T.-C. , Mansfield , W. , Moccio , S. , Murrell , A. , O'Malley , M. , Rosamilia , J. , Sapjeta , J. , Sherman , P. , Sorsch , T. , Tai , W. W. , Tennant , D. , Vuong , H. , and Weir , B. ( 1997 ). Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. , 930 .
  • Tokunaga , K. , Redeker , F. C. , Danner , D. A. , and Hess , D. W. ( 1981 ). J. Electrochem. Soc. , 128 , 851 .
  • Trouton , F. ( 1884 ). Philos. Mag. , 5 , 54 .
  • Verhaverbeke , S. , Teerlinck , I. , Vinckier , C. , Stevens , G. , Cartuyvels , R. , and Heyns , M. M. ( 1994 ). J. Electrochem. Soc. , 141 ( 10 ), 2852 .
  • Visokay , M. R. , Chambers , J. J. , Rotondaro , A. L. P. , Shanware , A. , and Colombo , L. ( 2002 ). Appl. Phys. Lett. , 80 , 3183 .
  • Wang , C. and Donnelly , V. M. ( 2005 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 23 , 547 .
  • Wang , C. and Donnelly , V. M. ( 2006 ). J. Vac. Sci. Technol. B , 24 , 41 .
  • Wang , C. and Donnelly , V. M. (2008). J. Vac. Sci. Technol. A , 26, 597.
  • Wang , X. , Liu , Y. , Xu , X. , Fu , S. , and Cui , Z. ( 2006 ). J. Vac. Sci. Technol. A , 24 , 1067 .
  • Watanabe , D. , Momota , H. , Kezuka , T. , Takashi , K. , Mitsushi , I. , Riley , D. , and Barnett , J. ( 2003 ). Selective wet etching for high-k material by organic solvent containing hydrofluoric acid , in: Semiconductor Pure Water and Chemicals Conference Proceedings, 22nd , 117, SPWCC , Los Altos , Calif .
  • Wei , Y. , Wallace , R. M. , and Seabaugh , A. C. ( 1996 ). Appl. Phys. Lett. , 69 , 1270 .
  • Wenger , C. , Dabrowski , D. , Zaumseil , P. , Sorge , R. , Formanek , P. , Lippert , G. , and Muessig , H.-J. ( 2004 ). Mater. Sci. Semicond. Process. , 7 , 227 .
  • Wilk , G. D. , Wallace , R. M. , and Anthony , J. M. ( 2001 ). J. Appl. Phys. , 89 , 5243 .

Reprints and Corporate Permissions

Please note: Selecting permissions does not provide access to the full text of the article, please see our help page How do I view content?

To request a reprint or corporate permissions for this article, please click on the relevant link below:

Academic Permissions

Please note: Selecting permissions does not provide access to the full text of the article, please see our help page How do I view content?

Obtain permissions instantly via Rightslink by clicking on the button below:

If you are unable to obtain permissions via Rightslink, please complete and submit this Permissions form. For more information, please visit our Permissions help page.