References
- Morkoç, H. Mater. Sci. Eng. 1997, 43 (1), 137–146.
- Morkoc, H. Nitride Semiconductor Devices: Fundamentals and Applications, Wiley-VCH, 2013.
- Steigerwald, D.; Rudaz, S.; Liu, H.; Kern, R.S.; Götz, W.; Fletcher, R. JOM 1997, 49 (9), 18–23.
- Zou, J.; Kotchetkov, D.; Balandin, A.; Florescu, D.; Pollak, F.H. J. Appl. Phys. 2002, 92 (5), 2534–2539.
- Ionascut-Nedelcescu, A.; Carlone, C.; Houdayer, A.; Von Bardeleben, H.; Cantin, J.L.; Raymond, S. Nucl. Sci. IEEE Trans. 2002, 49 (6), 2733–2738.
- Polyakov, A.Y. GaN ZnO Based Mater. Dev. 2012, 156, 251–294.
- Polyakov, A.Y.; Pearton, S.; Frenzer, P.; Ren, F.; Liu, L.; Kim, J. J. Mater. Chem. C 2013, 1 (5), 877–887.
- Yadav, A.; Flitsiyan, E.; Chernyak, L.; Hwang, Y.H.; Hsieh, Y.L.; Lei, L.; Ren, F.; Pearton, S.J.; Lubomirsky, I. Radiat. Eff. Def. Solids 2015, 170 (5), 377–385.
- Polyakov, A.; Smirnov, N.; Govorkov, A.; Markov, A.; Pearton, S.; Kolin, N.; Merkurisov, D.; Boiko, V. J. Appl. Phys. 2005, 98 (3), 033529.
- Pearton, S.J.; Deist, R.; Ren, F.; Liu, L.; Polyakov, A.Y.; Kim, J. J. Vac. Sci. Technol. A 2013, 31 (5), 050801.
- Schwarz, C.; Yadav, A.; Shatkhin, M.; Flitsiyan, E.; Chernyak, L.; Kasiyan, V.; Liu, L.; Xi, Y.; Ren, F.; Pearton, S. Appl. Phys. Lett. 2013, 102 (6), 062102.
- Hwang, Y.H.; Hsieh, Y.L.; Lei, L.; Li, S.; Ren, F.; Pearton, S.J.; Yadav, A.; Schwarz, C.; Shatkhin, M.; Wang, L. J. Vac. Sci. Technol. B 2014, 32 (3), 031203.
- Kurakin, A.; Vitusevich, S.; Danylyuk, S.; Hardtdegen, H.; Klein, N.; Bougrioua, Z.; Danilchenko, B.; Konakova, R.; Belyaev, A. J. Appl. Phys. 2008, 103 (8), 083707.
- Hogsed, M.R.; Yeo, Y.K.; Ahoujja, M.; Ryu, M.-Y.; Petrosky, J.C.; Hengehold, R.L. Appl. Phys. Lett. 2005, 86 (26), 1906.
- Zhou, Q.; Manasreh, M.; Pophristic, M.; Guo, S.; Ferguson, I. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2901.
- Lopatiuk, O.; Osinsky, A.; Chernyak, L. Int. Soc. Opt. Photon. 2006, 1621, 0H-1.
- Schwarz, C.; Flitsiyan, E.; Chernyak, L. INTECH Open Access Publisher 2012.
- Bhushan, S.; Chukichev, M. J. Mater. Sci. Lett. 1988, 7 (4), 319–321.
- Eckstein, M.; Habermeier, H.U. J. Phys. – Paris IV 1991, 1 (C6), C6-23–C6-28.
- Ioannou, D.E.; Dimitriadis, C. IEEE Trans. Electron. Dev. 1982, 29 (3), 445–450.
- Boersma, J.; Indenkleef, J.; Kuiken, H. J. Eng. Math. 1984, 18 (4), 315–333.
- Chernyak, L.; Osinsky, A.; Temkin, H.; Yang, J.; Chen, Q.; Khan, M.A. Appl. Phys. Lett. 1996, 69 (17), 2531–2533.
- Lin, Y.; Flitsyian, E.; Chernyak, L.; Malinauskas, T.; Aleksiejunas, R.; Jarasiunas, K.; Lim, W.; Pearton, S.; Gartsman, K. Appl. Phys. Lett. 2009, 95 (9), 092101.
- Umana-Membreno, G.A.; Dell, J.M.; Hessler, T.P.; Nener, B.D.; Parish, G.; FaraoneUmana-Membreno, L.; Mishra, U.K. Appl. Phys. Lett. 2002, 80 (23), 4354–4356.
- Burdett, W.; Lapatiuk, O.; Chernyak, L.; Hermann, M.; Stutzmann, M.; Eickhoff, E. J. Appl. Phys. 2004, 96, 3556.
- Lopatiuk, O.; Osinsky, A.; Dabiran, A.; Gartsman, K.; Feldman, I.; Chernyak, L. Solid State Electron. 2005, 49, 1662–1668.
- Pearton, S.J; Ren, F.; Patrick, E.; Law, M.E.; Polyakov, A.Y. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016, 5 (2), Q35–Q60.