References
- Hirai , T. , Teramoto , K. , Nagashima , K. , Koike , H. and Tarui , Y. 1995 . Jpn. J. Appl. Phys , 34 ( 8A ) : 4163 – 4166 .
- Basit , N. A. and Kim , H. K. 1998 . Appl. Phys. Lett. , 73 ( 26 ) : 3941 – 3943 .
- Han , J-P. and Ma , T. P. 1998 . Appl. Phys. Lett. , 72 ( 1 ) : 1185 – 1186 .
- Byun , C. S. , Kim , Y. I. , Lee , W. J. and Lee , B. W. 1997 . Jpn. J. Appl. Phys , 36 ( 9A ) : 5588 – 5589 .
- Shichi , Y. , Tanimoto , S. , Goto , T. , Kuroiwa , K. and Tarui , Y. 1994 . Jpn. J. Appl. Phys. , 33 ( 9 ) : 5172 – 5177 .
- Ramakrishnan , E. S. , Cornett , K. D. , Shapiro , G. H. and Howng , W. Y. 1998 . J. Electrochem. Soc. , 145 ( 1 ) : 358 – 362 .
- Newnham , R. E. 1986 . J. Am. Ceram. Soc. , 50 ( 4 ) : 216
- Chang , De-An , Lin , Pang and Tseng , Tseung-Yuen . 1995 . J. Appl. Phys. , 78 ( 12 ) : 7103 – 7108 .
- Sze , S. M. 1981 . Physics of Semiconductor Devices , 2nd ed. , 369 John Wiley & Sons Press . chp. 7