References
- O. S. Kondratenko et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals 717 (1), 92 (2021). doi:10.1080/15421406.2020.1860533
- X. Liu et al., Energy Environ. Sci. 7 (10), 3223 (2014). doi:10.1039/C4EE01152J
- Y. Li et al., Opt. Commun. 355, 6 (2015). doi:10.1016/j.optcom.2015.06.027
- H. Jeong et al., Adv Mater. 26 (21), 3445 (2014). doi:10.1002/adma.201305394
- L. Hong et al., Appl. Phys. Lett. 104 (5), 53104 (2014). doi:10.1063/1.4863965
- H. Wang et al., Nanoscale Res. Lett. 10 (1), 191 (2015). doi:10.1186/s11671-015-0891-6
- N. L. Dmitruk et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells 76 (4), 625 (2003). doi:10.1016/S0927-0248(02)00272-6
- L. Yang et al., ACS Appl. Mater Interfaces 8 (1), 26 (2015). doi:10.1021/acsami.5b10959
- G. Ali et al., Thin Solid Films 709, 138139 (2020). doi:10.1016/j.tsf.2020.138139
- S. Kondratenko et al., ACS Appl. Energy Mater. 2 (8), 5983 (2019). doi:10.1021/acsaem.9b01083
- W. Chen et al., Sci. Rep. 8 (1), 3408 (2018). doi:10.1038/s41598-018-21877-x
- S. Mamykin et al., Proc. IEEE 13th Int. Conf. Nanomater.: Appl. Prop. (NAP), 2023, NEE12-1, (2023). doi:10.1109/NAP59739.2023.10310981
- S. Jäckle et al., Sci. Rep. 7 (1), 2170 (2017). doi:10.1038/s41598-017-01946-3
- Y. Jiang et al., Nanoscale Res. Lett. 11 (1), 267 (2016). doi:10.1186/s11671-016-1450-5
- S. V. Mamykin et al., SPQEO 24 (02), 148 (2021). doi:10.15407/spqeo24.02.148
- D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (John Wiley and Sons, New York, 1998).
- E. Forniés et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells 87 (1-4), 583 (2005). doi:10.1016/j.solmat.2004.07.040
- S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons, New York, 1981).
- A. Srivastava et al., ACS Appl. Energy Mater. 4 (4), 4181 (2021). doi:10.1021/acsaem.1c00511
- P. Singh et al., Sol. Energy 170, 221 (2018). doi:10.1016/j.solener.2018.05.048
- S. Li et al., Nano Res. 8 (10), 3141 (2015). doi:10.1007/s12274-015-0814-y
- J.-Y. Li et al., Sci. Rep. 7 (1), 17177 (2017). doi:10.1038/s41598-017-17516-6