626
Views
7
CrossRef citations to date
0
Altmetric
Research Paper

Preparing molybdenum disulphide by vapour deposition

, , , , , & show all
Pages 245-251 | Received 12 Aug 2014, Accepted 20 Mar 2015, Published online: 24 Mar 2016

References

  • M. F. Craciuna, S. Russo, M. Yamamoto and S. Tarucha: Nano Today, 2011, 6, 42–60. doi: 10.1016/j.nantod.2010.12.001
  • H. M. Wang, Y. H. Wu, C. X. Cong, J. Z. Shang and T. Yu: ACS Nano, 2010, 4, 7221–7228. doi: 10.1021/nn101950n
  • S. Vaziri, G. Lupina, C. Henkel, A. D. Smith, M. Östling, J. Dabrowski, G. Lippert, W. Mehr and M. C. Lemme: Nano Lett., 2013, 13, 1435–1439. doi: 10.1021/nl304305x
  • H. Li, X. Y. Qi, J. Wu, Z. Y. Zeng, J. Wei and H. Zhang: ACS Nano, 2013, 7, 2842–2849. doi: 10.1021/nn400443u
  • T. Mueller, F. N. Xia and P. Avouris: Nature Photon., 2010, 4, 297–301. doi: 10.1038/nphoton.2010.40
  • R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres and A. K. Geim: Science, 2010, 320, 1308. doi: 10.1126/science.1156965
  • Y. Huang, J. Wu, X. F. Xu, Y. D. Ho, G. X. Ni, Q. Zou, G. K. W. Koon, W. J. Zhao, A. H. Castro Neto, G. Eda, C. M. Shen and B. Özyilmaz: Nano Res., 2013, 6, 200–207. doi: 10.1007/s12274-013-0296-8
  • Y. J. Zhan, Z. Liu, S. Najmaei, P. M. Ajayan and J. Lou: Small, 2012, 8, 966–971. doi: 10.1002/smll.201102654
  • K. Dolui, I. Rungger, C. D. Pemmaraju and S. Sanvito: Phys. Rev. B, 2013, 88B, 075420. doi: 10.1103/PhysRevB.88.075420
  • K. Roy, M. Padmanabhan, T. P. SrijitGoswami, Sai, G. Ramalingam, S. Raghavan and A. Ghosh: Nat. Nanotechnol., 2013, 8, 826–830. doi: 10.1038/nnano.2013.206
  • A. Splendiani, L. Sun, Y. B. Zhang, T. S. Li, J. Kim, C. Y. Chim, G. Galli and F. Wang: Nano Lett., 2010, 10, 1271–1275. doi: 10.1021/nl903868w
  • B. Radisavljevic, M. B. Whitwick and A. Kis: ACS Nano, 2011, 5, 9934–9938. doi: 10.1021/nn203715c
  • M. A. Lukowski, A. S. Daniel, F. Meng, A. Forticaux, L. S. Li and S. Jin: J. Am. Chem. Soc., 2013, 135, 10274–10277. doi: 10.1021/ja404523s
  • U. K. Sen and S. Mitra: Appl. Mater. Interfaces, 2013, 5, 1240–1247.
  • B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti and A. Kis: Nat. Nanotechnol., 2011, 6, 147–150. doi: 10.1038/nnano.2010.279
  • J. Pu, L. J. Li and T. Takenobu: Phys. Chem. Chem. Phys., 2014, 16, 14996–15006. doi: 10.1039/c3cp55270e
  • W. J. Zhu, T. Low, Y. H. Lee, H. Wang, D. B. Farmer, J. Kong, F. N. Xia and P. Avouris: Nat. Commun., 2014, 5, 3087.
  • J. Pu, Y. H. Yomogida, K. K. Liu, L. J. Li, Y. Iwasa and T. Takenobu: Nano Lett., 2012, 12, 4013–4017. doi: 10.1021/nl301335q
  • A. Castellanos-Gomez, M. Poot, G. A. Steele, H. S. J.van der Zant, N. Agrait and G. Rubio-Bollinger: Adv. Mater., 2012, 24, 772–775. doi: 10.1002/adma.201103965
  • W. J. Zhang, J. K. Huang, C. H. Chen, Y. H. Chang, Y. J. Cheng and L. J. Li: Adv. Mater., 2013, 25, 3456–3461. doi: 10.1002/adma.201301244
  • J. Xiao, D. Choi, L. Cosimbescu, P. Koech, J. Liu and J. P. Lemmon: Chem. Mater., 2010, 22, 4522–4524. doi: 10.1021/cm101254j
  • J. M. Gordon, E. A. Katz, D. Feuermann, A. Albu-Yaron, M. Levyb and R. Tenne: J. Mater. Chem., 2008, 18, 458–462. doi: 10.1039/B714108D
  • H. T. Lin, X. Y. Chen, H. L. Li, M. Yang and Y. X. Qi: Mater. Lett., 2010, 64, 1748–1750. doi: 10.1016/j.matlet.2010.04.032
  • M. Nath, A. Govindaraj and C. N. R. Rao: Adv. Mater., 2001, 13, 283–286. doi: 10.1002/1521-4095(200102)13:4<283::AID-ADMA283>3.0.CO;2-H
  • L. Ye, C. Z. Wu, W. Guo and Y. Xie: Chem. Commun., 2006, 4738–4740. doi: 10.1039/b610601c
  • G. G. Tang, J. Zhang, C. C. Liu, D. Zhang, Y. Q. Wang, H. Tang and C. S. Li: Ceram. Int., 2014, 40, 11575–11580. doi: 10.1016/j.ceramint.2014.03.115
  • J. Kibsgaard, Z. B. Chen, B. N. Reinecke and T. F. Jaramillo: Nature Mater., 2012, 11, 963–969. doi: 10.1038/nmat3439
  • W. Wu, D. De, S. C. Chang, Y. N. Wang, H. B. Peng, J. M. Bao and S. S. Pei: Appl. Phys. Lett., 2013, 102, 142106. doi: 10.1063/1.4801861
  • T. Korn, S. Heydrich, M. Hirmer, J. Schmutzler and C. Schüller: Appl. Phys. Lett., 2011, 99, 102109. doi: 10.1063/1.3636402
  • Z. Y. Yin, H. Li, H. Li, L. Jiang, Y. M. Shi, Y. H. Sun, G. Lu, Q. Zhang, X. D. Chen and H. Zhang: ACS Nano, 2012, 6, 74–80. doi: 10.1021/nn2024557
  • N. Li, Y. M. Chai, Y. P. Li, Z. Tang, B. Dong, Y. Q. Liu and C. G. Liu: Mater. Lett., 2012, 66, 236–238. doi: 10.1016/j.matlet.2011.08.092
  • K. Lee, H. Y. Kim, M. Lotya, J. N. Coleman, G. T. Kim and G. S. Duesberg: Adv. Mater., 2011, 23, 4178–4182. doi: 10.1002/adma.201101013
  • L. L. Wu, B. C. Holloway, D. P. Beesabathina, C. Kalil and D. M. Manos: Surf. Coat. Technol., 2000, 130, 207–217. doi: 10.1016/S0257-8972(00)00720-9
  • Q. Li, J. T. Newberg, E. C. Walter, J. C. Hemminger and R. M. Penner: Nano Lett., 2004, 4, 277–281. doi: 10.1021/nl035011f
  • K. Holmberg, H. Ronkainen, A. Laukkanen, K. Wallin, S. Hogmark, S. Jacobson, U. Wiklund, R. M. Souzac and P. Stahle: Wear, 2009, 267, 2142–2156. doi: 10.1016/j.wear.2009.01.004
  • Y. Zhang, L. Y. Zhang and C. W. Zhou: Acc. Chem. Res., 2013, 46, 2329–2339. doi: 10.1021/ar300203n
  • A. M. van der Zande, P. Y. Huang, D. A. Chenet, T. C. Berkelbach, Y. M. You, G. H. Lee, T. F. Heinz, D. R. Reichman, D. A. Muller and J. C. Hone: Nat. Mater., 2013, 12, 554–561. doi: 10.1038/nmat3633
  • Q. Q. Ji, Y. F. Zhang, T. Gao, Y. Zhang, D. L. Ma, M. X. Liu, Y. B. Chen, X. F. Qiao, P. H. Tan, M. Kan, J. Feng, Q. Sun and Z. F. Liu: Nano Lett., 2013, 13, 3870–3877. doi: 10.1021/nl401938t
  • Y. Zhang, Y. F. Zhang, Q. Q. Ji, J. Ju, H. T. Yuan, J. P. Shi, T. Gao, D. L. Ma, M. X. Liu, Y. B. Chen, X. J. Song, H. Y Hwang, Y. Cui and Z. F. Liu: ACS Nano, 2013, 7, 8963–8971. doi: 10.1021/nn403454e
  • S. Najmaei, P. M. Ajayan and J. Lou: Nanoscale, 2013, 5, 9758–9763. doi: 10.1039/c3nr02567e
  • L. Q. Su, Y. Zhang, Y. F. Yu and L. Y. Cao: Nanoscale, 2014, 6, 4920–4927. doi: 10.1039/c3nr06462j
  • G. Plechinger, J. Mann, E. Preciado, D. Barroso, A. Nguyen, J. Eroms, C. Schüller, L. Bartels and T. Korn: Semicond. Sci. Technol., 2014, 29, 064008. doi: 10.1088/0268-1242/29/6/064008
  • P. B. Shah, M. Amani, M. L. Chin, T. P. O'Regan, F. J. Crowne and M. Dubey: Solid-State Electron., 2014, 91, 87–90. doi: 10.1016/j.sse.2013.10.010
  • M. R. Laskar, L. Ma, K ShanthaKumar, P. S. Park, S. Krishnamoorthy, D. N. Nath, W. Lu, Y. Y. Wu and S. Rajan: Appl. Phys. Lett., 2013, 102, 252108. doi: 10.1063/1.4811410
  • Y. B. Lee, J. W. Lee, H. Y. Bark, I. K. Oh, G. H. Ryu, Z. H. Lee, H. Kim, J. H. Cho, J. H. Ahn and C. G. Lee: Nanoscale, 2014, 6, 2821–2826. doi: 10.1039/c3nr05993f
  • H. Liu, M. W. Si, S. Najmaei, A. T. Neal, Y. C. Du, P. M. Ajayan, J. Lou and P. D. Ye: Nano Lett., 2013, 13, 2640–2646. doi: 10.1021/nl400778q
  • Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Srolovitz and R. Tenne: Science, 1995, 267, 222–225.
  • Q. Q. Ji, Y. F. Zhang, T. Gao, Y. Zhang, D. L. Ma, M. X. Liu, Y. B. Chen, X. F. Qiao, P. H. Tan, M. Kan, J. Feng, Q. Sun and Z. F. Liu: Nano Lett., 2013, 13, 3870–3877. doi: 10.1021/nl401938t
  • Y. H. Lee, X. Q. Zhang, W. J. Zhang, M. T. Chang, C. T. Lin, K. D. Chang, Y. C. Yu, J. T. W. Wang, C. S. Chang, L. J. Li and T. W. Lin: Adv. Mater., 2012, 24, 2320–2325. doi: 10.1002/adma.201104798
  • Y. C. Cheng, K. X. Yao, Y. Yang, L. Li, Y. B. Yao, Q. X. Wang, X. X. Zhang, Y. Han and U. Schwingenschlögl: RSC Adv., 2013, 3, 17287–17293. doi: 10.1039/c3ra42171f
  • W. Park, J. Baik, T. Y. Kim, K. Cho, W. K. Hong, H. J. Shin and T. Lee: ACS Nano, 2014, 8, 4961–4968. doi: 10.1021/nn501019g
  • X. Ling, Y. H. Lee, Y. X. Lin, W. J. Fang, L. L. Yu, M. S. Dresselhaus and J. Kong: Nano Lett., 2014, 14, 464–472.
  • Y. M. Shi, W. Zhou, A. Y. Lu, W. J. Fang, Y. H. Lee, A. L. Hsu, S. M. Kim, K. K. Kim, H. Y. Yang, L. J. Li, J. C. Idrobo and J. Kong: Nano Lett., 2012, 12, 2784–2791. doi: 10.1021/nl204562j
  • Y. C. Lin, W. J. Zhang, J. K Huang, K. K Liu, Y. H. Lee, C. T. Liang, C. W. Chu and L. J. Li: Nanoscale, 2012, 4, 6637–6641. doi: 10.1039/c2nr31833d
  • M. Amani, M. L. Chin, A. G. Birdwell, T. P. O'Regan, S. Najmaei, Z. Liu, P. M. Ajayan, J. Lou and M. Dubey: Appl. Phys. Lett., 2013, 102, 193107. doi: 10.1063/1.4804546
  • X. S. Wang, H. B. Feng, Y. M. Wu and L. Y. Jiao: J. Am. Chem. Soc., 2013, 135, 5304–5307. doi: 10.1021/ja4013485
  • S. F. Wu, C. M. Huang, G. Aivazian, J. S Ross, D. H. Cobden and X. D. Xu: ACS Nano, 2013, 7, 2768–2772. doi: 10.1021/nn4002038
  • W. K. Hofmann: J. Mater. Sci., 1988, 23, 3981–3986. doi: 10.1007/BF01106824
  • A. A. van Zomeren, J. H. Koegler, P. J. van der Put and J. Schoonman: Solid State Ionics, 1992, 521–525.
  • N. Imanishi, K. Kanamura and Z. Takehara: J. Electrochem. Soc., 1992, 139, 2082–2087. doi: 10.1149/1.2221182
  • W. Y. Lee, T. M. Besmann and M. W. Stott: Mater. Res., 1994, 9, 1474–1483. doi: 10.1557/JMR.1994.1474
  • I. Endlera, A. Leonhardt, U. König, H. van den Berg, W. Pitschke and V. Sottke: Surf. Coat. Technol., 1999, 120–121, 482–488. doi: 10.1016/S0257-8972(99)00413-2
  • Y. F. Yu, S. Y. Huang, Y. P. Li, S. N. Steinmann, W. T. Yang and L. Y. Cao: Nano Lett., 2014, 14, 553–558.
  • J. Cheon, J. E. Gozum and G. S. Girolami: Chem. Mater., 1997, 9, 1847–1853. doi: 10.1021/cm970138p
  • J. P. Shi, D. L. Ma, G. F. Han, Y. Zhang, Q. Q. Ji, T. Gao, J. Y. Sun, C. Li, X. Y. Lang, Y. F. Zhang and Z. F. Liu: arXiv, 2014, 1405, 1662 [cond-mat.mtrl-sci].
  • N. Zink, H. A. Therese, J. Pansiot, A. Yella, F. Banhart and W. Treme: Chem. Mater., 2008, 20, 65–71. doi: 10.1021/cm061867k
  • H. Meerkamm, W. Fruth, T. Krumpiegl and C. Schauer: Int. J. Refract. Met. Hard Mater., 1999, 17, 201–208. doi: 10.1016/S0263-4368(98)00065-1
  • J. X. Deng, W. L. Song, H. Zhang and J. L. Zhao: Int. J. Mach. Tool. Manuf., 2008, 48, 1546–1552. doi: 10.1016/j.ijmachtools.2008.06.009
  • A. Podestà, G. Fantoni, P. Milani, C. Guida and S. Volponi: Thin Solid Films, 2002, 419, 154–159. doi: 10.1016/S0040-6090(02)00778-2
  • V. Weihnacht, A. Brückner and G. Theiler: Vak. Forsch. Prax., 2012, 24, 17–23. doi: 10.1002/vipr.201200500
  • G. Colas, A. Saulot, C. Godeau, Y. Michel and Y. Berthier: Wear, 2013, 305, 192–204. doi: 10.1016/j.wear.2013.06.007
  • W. I. Choi, B. C. Wood, E. Schwegler and T. Ogitsu: J. Phys. Chem. C, 2013 117C, 21772–21777.
  • S. Helveg, J. V. Lauritsen, E. Lægsgaard, I. Stensgaard, J. K. Nørskov, B. S. Clausen, H. Topsøe and F. Besenbacher: Phys. Rev. Lett., 2000, 84, 951–954. doi: 10.1103/PhysRevLett.84.951
  • J. V. Lauritsen, J. Kibsgaard, S. Helveg, H. Topsøe, B. S. Clausen, E. Lægsgaard and F. Besenbacher: Nat. Nanotechnol., 2007, 2, 53–58. doi: 10.1038/nnano.2006.171
  • I. Popov, G. Seifert and D. Tomanek: Phys. Rev. Lett., 2012, 108, 156802. doi: 10.1103/PhysRevLett.108.156802
  • W. Chen, E. J. G. Santos, W. G. Zhu, E. Kaxiras and Z. Y. Zhang: Nano Lett., 2013, 13, 509–514. doi: 10.1021/nl303909f
  • C. Gong, C. M. Huang, J. Miller, L. X. Cheng, Y. F. Hao, D. Cobden, J. Y. Kim, R. S. Ruoff, R. M. Wallace, K. Cho, X. D. Xu and Y. J. Chabal: ACS Nano, 2013, 7, 11350–11357. doi: 10.1021/nn4052138
  • J. K. Sahoo, M. N. Tahir, A. Yella, T. D. Schladt, S. Pfeiffer, B. Nakhjavan, E. Mugnaioli, U. Kolb and W. Tremel: Chem. Mater., 2011, 23, 3534–3539. doi: 10.1021/cm201178n
  • B. G. Rao, H. S. S. Ramakrishna Matte and C. N. R. Rao: J. Cluster. Sci., 2012, 23, 929–937. doi: 10.1007/s10876-012-0504-9
  • L. L. Yu, Y. H. Lee, X. Ling, E. J. G. Santos, Y. C. Shin, Y. X. Lin, M. Dubey, E. Kaxiras, J. Kong, H. Wang and T. Palacios: Nano Lett., 2014, 14, 3055–3063. doi: 10.1021/nl404795z
  • Y. T. Liu, X. D. Zhu, Z. Q. Duan and X. M. Xie: Chem. Commun., 2013, 49, 10305–10307. doi: 10.1039/c3cc45936e
  • G. C. Huang, T. Chen, W. X. Chen, Z. Wang, K. Chang, L. Ma, F. H. Huang, D. Y. Chen and J. Y. Lee: Small, 2013, 9, 3693–3703. doi: 10.1002/smll.201300415
  • L. L. Yu, Y. H. Lee, X. Ling, E. J. G. Santos, Y. C. Shin, Y. X. Lin, M. Dubey, E. Kaxiras, J. Kong, H. Wang and T. Palacios: Nano Lett., 2014, 14, 3055-3063.
  • X. H. Cao, Y. M. Shi, W. H. Shi, X. H. Rui, Q. Y. Yan, J. Kong and H. Zhang: Small, 2013, 9, 3433–3438. doi: 10.1002/smll.201202697
  • T. Usman, Kubota, Y. Araki, K. Ishida and Y. Okamoto: J. Catal., 2004, 227, 523–529. doi: 10.1016/j.jcat.2004.08.028
  • T. Kubota, K. Sato, A. Kato, T. Usman, Ebihara, T. Fujikawa, Y. Araki, K. Ishida and Y. Okamoto: Appl. Catal. A, 2005, 290A, 17–24. doi: 10.1016/j.apcata.2005.05.031
  • Y. Okamoto, K. Tamura and T. Kubota: Chem. Commun., 2010, 46, 2748–2750. doi: 10.1039/b924925g
  • S. H. Su, Y. T. Hsu, Y. H. Chang, M. H. Chiu, C. L. Hsu, W. T. Hsu, W. H. Chang, J. H. He and L. J. Li: Small, 2014, 10, 2589–2594. doi: 10.1002/smll.201302893
  • Y. M. Shi, J. K. Huang, L. M. Jin, Y. T. Hsu, S. F. Yu, L. J. Li and H. Y. Yang: Sci. Rep., 2013, 3, 1839.
  • J. B. Legma, G. Vacquier, H. Traorè and A. Casalot: Mater. Sci. Eng. B, 1991, 8B, 167. doi: 10.1016/0921-5107(91)90034-S
  • K. K. Tiong, T. S. Shou and C. H. Ho: Condens. Matter, 2000, 12, 3441–3449. doi: 10.1088/0953-8984/12/14/319
  • J. V. Acrivos, W. Y. Liang, J. A. Wilson and A. D. Yoffe: J. Phys. C, 1971, 4C, L18–L20.
  • R. S. Title and M. W. Shafer: Phys. Rev. Lett., 1972, 28, 808. doi: 10.1103/PhysRevLett.28.808
  • M. Laskar, D. N. Nath, L. Ma, E. Lee, C. H. Lee, T. Kent, Z. Yang, R. Mishra, M. A Roldan, J. C. Idrobo, S. T. Pantelides, S. J. Pennycoo K, R. Myers, Y. Wu and S. Rajan: Appl. Phys. Lett., 2014, 104, 092104. doi: 10.1063/1.4867197
  • K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim and H. L. Stormer: Solid State Commun., 2008, 146, 351–355. doi: 10.1016/j.ssc.2008.02.024
  • H. M. Wang and Y. H. Wu: ACS Nano, 2010, 4, 7221–7228. doi: 10.1021/nn101950n
  • H. Nam, S. J. Wi, H. Rokni, M. Chen, G. Priessnitz, W. Lu and X. G. Liang: ACS Nano, 2013, 7, 5870–5881. doi: 10.1021/nn401093u
  • B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti and A. Kis: Nat. Nanotechnol., 2011, 6, 147–151. doi: 10.1038/nnano.2010.279
  • H. Wang, L. Yu, Y. Lee, W. Fang, A. Hsu, P. Herring, M. Chin, M. Dubey, L. Li, J. Kong and T. Palacios: Electron Devices Meeting (IEDM), 2012 IEEE International, 4.6.1–4.6.4.
  • M. Shanmugam, C. A. Durcan and B. Yu: Nanoscale, 2012, 4, 7399. doi: 10.1039/c2nr32394j
  • O. Lopez-Sanchez, D. Lembke, M. Kayci, A. Radenovic and A. Kis: Nat. Nanotechnol., 2013, 8, 497–501. doi: 10.1038/nnano.2013.100
  • H. Xu, J. X. Wu, Q. L. Feng, N. N. Mao, C. M. Wang and J. Zhang: Small, 2014, 10, 2300–2306. doi: 10.1002/smll.201303670
  • Y. Zhang, J. Ye, Y. Matsuhashi and Y. Iwasa: Nano Lett., 2012, 12, 1136–1140. doi: 10.1021/nl2021575
  • J. W. Huang, Z. P. Dong, Y. R. Li, J. Li, W. J. Tang, H. D. Yang, J. Wang, Y. Bao, J. Jin and R. Li: Mater. Res. Bull., 2013, 48, 4544–4547. doi: 10.1016/j.materresbull.2013.07.060
  • H. Li, Z. Y. Yin, Q. Y. He, H. Li, X. Huang, G. Lu, D. W. H. Fam, A. I. Y. Tok, Q. Zhang and H. Zhang: Small, 2012, 8, 63–67. doi: 10.1002/smll.201101016
  • M. Wang, G. D. Li, H. Y. Xu, Y. T. Qian and J. Yang: ACS Appl. Mater. Interfaces, 2013, 5, 1003–1008.

Reprints and Corporate Permissions

Please note: Selecting permissions does not provide access to the full text of the article, please see our help page How do I view content?

To request a reprint or corporate permissions for this article, please click on the relevant link below:

Academic Permissions

Please note: Selecting permissions does not provide access to the full text of the article, please see our help page How do I view content?

Obtain permissions instantly via Rightslink by clicking on the button below:

If you are unable to obtain permissions via Rightslink, please complete and submit this Permissions form. For more information, please visit our Permissions help page.